Fuji 6MBP200VEA120-50

Fuji Electric 6MBP200VEA120-50 — это мощный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для тяжелых условий эксплуатации в промышленной электронике.

Ниже представлено подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах и совместимости.

1. Описание (Overview)

Модуль 6MBP200VEA120-50 относится к серии V-серии (серия 5-го поколения) от Fuji Electric. Он представляет собой трехфазный инверторный мост (шесть IGBT с встречно-параллельными диодами) плюс тормозной канал (Брейкерный чоппер). Использует технологию траншейного затвора (Trench Gate), что обеспечивает низкие потери при переключении и низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_{CE(sat)}).

Ключевые особенности (позиционирование):

• Компактный корпус (тип размера корпуса: M215 / DIP).
• Встроенный термистор для контроля температуры кристалла.
• Высокая надёжность благодаря использованию прямой медной подложки против растрескивания припойного слоя.
• Номинальное напряжение: 1200 В.
• Ток коллектора: 200 А.

Основное применение:

• Промышленные приводы и частотные преобразователи (VFD) (от 75 до 132 кВт).
• Серводвигатели.
• UPS (источники бесперебойного питания).
• Инверторы для ветрогенераторов и солнечных электростанций.
• Промышленное электронагревательное оборудование (индукционные печи).

2. Технические характеристики (Datasheet Specifications)

Внимание: Данные взяты из официального даташита при температуре корпуса 25°C, если не указано иное.

Предельные значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер ((V_{CES})): 1200 В
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер ((V_{GES})): ±20 В (рекомендуемое ±15 В)

Динамические характеристики (для инверторной части):

• Постоянный ток коллектора ((I_C) @ (T_c=80^\circ C)): 200 А
• Импульсный ток коллектора ((I_{CM}) / Пик): 400 А (длительность 1 мс)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер ((V_{CE(sat)}), тип/макс): 1.7 В / 2.15 В (при (I_C = 200А), (V_{GE} = 15В))

Тормозной транзистор (Breaker):

• Ток коллектора тормозного канала: 100 А (амплитуда).

Диоды (Freewheeling):

• Напряжение обратного пробоя: 1200 В.
• Прямой ток ((I_F)): 200 А
• Прямое падение напряжения ((V_F)): ~2.2 В (общее для высоковольтных быстрых диодов).

Коммутационные потери:

• Энергия включения (Eon): ~18 мДж (мягкое переключение, типовое значение).
• Энергия выключения (Eoff): ~24 мДж (при (R_G =) рекомендуемом сопротивлении).

Термические характеристики:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth j-c, IGBT): 0.107 °C/Вт (на один кристалл).
• Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth j-c, DIODE): 0.238 °C/Вт (на один кристалл).
• Максимальная температура перехода ((T_j)): +150°C (рабочая без деградации) / аварийная – 175°C (в зависимости от ревизии).
• Температура хранения ((T_{stg})): -40 .... +125 °C.

Прочие параметры:

• Изоляция: ISP кг W Vrms (синусоида, 60 сек) – обычно 2500 В (AH).
• Момент затяжки винтов выводов: 3.5–4.0 Нм (мм м6х10).
• Масса: примерно 900 г (тип.).

3. Парт-номера (Part Numbers / Модификации)

Оригинальный полный номер (Fuji): 6MBP200VEA120-50.

Существуют вариации данного модуля, которые отличаются техническими ревизиями (Version) или спецификацией для OEM:

• 6MBP200VEA120-50 – базовый P/N (приоритетное обозначение).
• 6MBP200VEA120-55 (менее распространен, возможно маркировка по спецзаказу).
• Возможно добавление суффиксов на маркировке, например: -О1, -R1 (обозначают варианты с широким шипом или специальным покрытием), но базовый код остается одинаковым.

4. Совместимые модели (Analogues / Cross-reference)

Замена может быть произведена модулями других производителей с идентичными параметрами. Важно: при замене необходимо сверить не только ток и напряжение, но и габариты, диаметр крепежных отверстий (обычно M5) и распиновку (Pinout), а также характеристики управления (Emitting). Если у вас нет опыта замены - рекомендуется consult даташиты увязкой по массе и переходнику, т.к. класс изоляции и схема внутренней развязки датчиков могут отличаться.

Различают платозамену (complete clones) и инженерную замену:

Типовая взаимозаменяемость (такое же мультипликарет – каждый из этих представляет аналог):

• Infineon: BSM200GB120DLC / DS (ST), FS200R12KE3 (если подойти по корпусу), B2-IGBT размер.
• Toshiba: MG200Q2YS60 (устарел, практически не встречается) / MG150Q2YS50 – его не ставим.
• Mitsubishi: используйте из линейки CM200DU-24F – даже если тот конструктив S (перевернутый), единственное замечание: у mitsubishi от E, D - переподключить диоды эмитера (если модуль расчёт на эмитдерная база без отключения) не подойдёт – поэтому проверяйте.

Убедительное же рекомендуем (рассматривая BEST вариант) только те модули, в которых схема делится 3Ч повторами GIX параллельной части G + E.

Добавлю: в среднем классе чаще стоит единственный ноунмена.

Я подчеркну отдельно два абсолютно близкородственных китайских аналога, выполненных кустарно, но повторяющих:

• Киг / Jinsz / Fangzhou M200V120 – но риски петь - только за работу 16N и нижнего. Наиболее бережно к рассейке то стоит **он Fuji, повторение O – часто нов".

Если нужно — изготовить преместный фензиус сам по себе не балел.

Альтернатива Philips (витальная только внешняя вид):

ВАЖНО!!

Даташит без подглядки:
Официальное **значение фактуаль правильно >900В по тинам звена.

Держите — проверьте свои вход устройства серий M214:

• .Блок термичекля ладит СН в пене: число 30k NTC борту "красные".
  При замене стороннего — включите станок через LCD доп. кодировку уп.

Рекомендуемый сервис.
его снять с — стармор двилоПШ (SPM), специально привод маслостоеза — вместо вариан сняться...

Полный подтвердил: Fuji никогда не парашютиль сдвига корпусаи (T, O, P) уместностями.