Semikron SKM75GB128DE — IGBT-модуль

Описание

SKM75GB128DE — это силовой IGBT-модуль производства компании Semikron (ныне входит в группу Danfoss). Модуль выполнен по полумостовой топологии (2-pack / half-bridge) и предназначен для применения в силовой электронике: преобразователях частоты, инверторах, источниках питания, сварочном оборудовании, приводах электродвигателей и т.п.

Модуль сочетает в себе IGBT-транзисторы с быстрыми мягкими восстанавливающимися антипараллельными диодами (FRED — Fast Recovery Epitaxial Diode), обеспечивая высокую эффективность переключения при рабочих напряжениях до 1200 В.

Технические характеристики

Параметры IGBT (транзистора)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип модуля | IGBT Half-Bridge (полумост) | | Напряжение коллектор-эмиттер Vce(s) | 1200 В | | Ток коллектора Iс (Tc = 25 °C) | 90 А (номи­нальный 75 А) | | Ток коллектора Iс (Tc = 80 °C) | 75 А | | Импульсный ток Iс(puls) | 150 А | | Напряжение насыщения Vce(sat) при Ic = 75 A, Tj = 25 °C | ≈ 2,9 В | | Напряжение насыщения Vce(sat) при Ic = 75 A, Tj = 125 °C | ≈ 3,4 В | | Пороговое напряжение Vce(th) | ≈ 5,5 В | | Входная ёмкость Cies | ≈ 5,3 нФ | | Время задержки включения td(on) | ≈ 150 нс | | Время нарастания tr | ≈ 45 нс | | Время задержки выключения td(off) | ≈ 380 нс | | Время спада tf | ≈ 60 нс | | Суммарные потери переключения (тип.) | ≈ 19 мДж (при номинальных условиях) |

Параметры диода (FRED)

| Параметр | Значение | |---|---| | Макс. обратное напряжение VRrm | 1200 В | | Средний прямой ток IFAV | 75 А | | Импульсный ток IFSM | 500 А (10 мс) | | Прямое падение напряжения VF | ≈ 2,1 В | | Время обратного восстановления trr | ≈ 100 нс | | Заряд восстановления Qrr | ≈ 4,5 мкКл |

Тепловые и изоляционные параметры

| Параметр | Значение | |---|---| | Макс. температура перехода Tj | 150 °C | | Тепловое сопротивление Rth(j-c) IGBT | ≈ 0,25 К/Вт | | Тепловое сопротивление Rth(j-c) диода | ≈ 0,45 К/Вт | | Изоляция (SEMITRANS) | 2500 В (AC, 1 мин) | | Рабочая температура хранения | −40…+125 °C |

Механические параметры

| Параметр | Значение | |---|---| | Корпус | SEMITRANS 2 (34 × 94 × 30 мм) | | Тип выводов | Винтовые клеммы / пайка | | Масса | ≈ 130 г | | Крепление | 4 винта M4 |

Парт-номера (Part Numbers)

Семейство SKM75GB128DE имеет несколько вариантов и близких модификаций:

| Парт-номер | Описание | |---|---| | SKM75GB128DE | Базовый модуль, полумост, 1200 В / 75 А | | SKM75GB128D | Аналогичный, но со стандартными (не быстрыми) диодами | | SKM75GB12T4 | Обновлённая версия в корпусе SEMITRANS 3 (T4-серия) | | SKM75GB123D | Полумост с другим типом диодов | | SKM75GB12V | Версия с улучшенными характеристиками переключения | | SKM75GAL128DE | Аналог с другим расположением выводов | | SKM75GAR128DE | Зеркальная версия |

⚠️ Точные парт-номеры зависят от региона и года выпуска. У Semikron часто встречается маркировка с суффиксами (например, SKM75GB128DE 3R или SKM75GB128DE-B), связанная с типом клемм и тестированием.

Совместимые модели (аналоги и замена)

Прямые аналоги от других производителей

| Производитель | Модель | |---|---| | Infineon | FF75R12RT4, FF75R12KS4, FF75R12YS4 | | Mitsubishi | CM75DY-24H, CM75DU-24F | | Fuji | 2MBI75S-120, 2MBI75N-120 | | Toshiba | MG75J2YS50 | | Hitachi | MBN75HY120 | | IXYS | MUB75-12, MKI75-12 | | Vishay | VS-75GB12EF | | STMicroelectronics | STG75GX120DF |

Замены внутри линейки Semikron

| Модель | Отличие | |---|---| | SKM75GB12T4 | SEMITRANS 3, улучшенные потери | | SKM75GB12V | Более быстрое переключение | | SKM50GB128DE | Меньший ток (50 А) | | SKM100GB128DE | Больший ток (100 А) | | SKM75GB125D | Менее быстрые диоды |

Совместимые драйверы Semikron

• SKHI 22A / 22B
• SKHI 23/12
• SKHI 26
• Skyper 32 / 32R (для модулей в SEMITRANS)

Применение

• Преобразователи частоты (VFD) для асинхронных двигателей
• Инверторы для солнечной энергетики и ИБП
• Сварочные инверторы
• Электроприводы и сервоприводы
• Зарядные станции и оборудование
• Тяговая электроника (низковольтная)

Примечания

1. Полумостовая топология обозначается буквой G в коде Semikron (SKMXXGB12XX).
2. 128DE — комбинация «1200 В», «DE» = fast diode (быстрый диод).
3. При замене обязательно проверяйте совпадение по тепловому сопротивлению и геометрии корпуса: аналоги Infineon серии FF75R12 (EconoPIM/SEMITRANS) могут иметь отличные габары.
4. Для точного выбора рекомендуется использовать Semikron Selection Tool и datasheet на официальном сайте (сегодня — power.danfoss.com).

Если нужны более подробные выкладки (например, кривые SOA, переключения при конкретных Rg), — напиши, пришлю структурировано.