Intersil D2114A-5 — Описание, характеристики, парт-номера и совместимые модели

📋 Описание

Intersil D2114A-5 — это статическое ОЗУ (SRAM) высокой скорости ёмкостью 4096 бит, организованное как 1024 слова × 4 бита (1K × 4). Микросхема выполнена по NMOS-технологии и предназначена для применения в высокопроизводительных вычислительных системах, буферных ЗУ, кэш-памяти, периферийных контроллерах и телекоммуникационном оборудовании.

Корпус — 18-выводной DIP/DIP-керамика, совместимый по цоколёвке с популярным семейством 2114 (1K × 4 SRAM), что делало её широко взаимозаменяемой в 1980–1990-х годах.

⚙️ Технические характеристики D2114A-5

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип памяти | SRAM, асинхронная | | Ёмкость | 4 096 бит | | Организация | 1K × 4 (1024 × 4) | | Технология | NMOS | | Напряжение питания (Vcc) | 5 В ± 5 % | | Время доступа (tAA) | 50 нс (индекс «-5») | | Время цикла чтения | мин. 50 нс | | Время цикла записи | мин. 50 нс | | Потребляемая мощность | ~150–250 мВт (активная), ~50–80 мВт (standby) | | Логические уровни | TTL-совместимые | | Входы/выходы | Раздельные, трёхстабильные (tri-state) | | Корпус | 18-pin DIP (пластик/керамика) | | Рабочая температура | 0…+70 °C (коммерческая) | | Аналоги зарубежные | 2114, 9114, MB8114, TMM314, HM6116-подобная логика (частично) |

Распределение выводов (стандарт 2114, 18-pin DIP)

• A0–A9 — адрес (10 линий)
• I/O1–I/O4 — данные
• CS (CE) — выбор кристалла
• WE — разрешение записи
• Vcc (+5 В), GND

Временные параметры (типовые для -5)

| Параметр | Значение | |---|---| | tAA (Address Access) | 50 нс | | tACS (Chip Select Access) | 25–35 нс | | tOE / tOH | ~15 нс / 5 нс | | tWP (Write Pulse) | 50 нс |

🔢 Парт-номера семейства D2114

Intersil выпускал данную серию под несколькими обозначениями, включая:

• D2114A-5 — 1K×4, 50 нс, коммерческая температура, DIP
• D2114A-3 — 1K×4, 35 нс
• D2114A-2 — 1K×4, 20–25 нс
• D2114L-4 — 1K×4, 45 нс
• D2114L-3 — 1K×4, 35 нс (низкое энергопотребление)
• M2114A-5 — military-версия (MIL-STD-883)
• ID2114A-5 — industrial-диапазон
• D2114P-5 — пластиковый корпус
• D2114D-5 — керамический корпус (Ceramic DIP)

Префиксы могут означать: D — plastic/commercial, M — military, I — industrial. Суффикс «A» указывает на базовую (первую) версию архитектуры 2114-совместимой SRAM.

🔄 Совместимые и взаимозаменяемые модели

Благодаря стандартной цоколёвке и TTL-логике, семейство D2114A широко совместимо со следующими SRAM 1K×4 (18-pin DIP):

| Производитель | Модель | Примечание | |---|---|---| | Intel | 2114, 2114A, 2114L, 2114H, P2114 | оригинал-аналог | | Analog Devices / AMD | AM91L14, AM2114 | аналог | | Fujitsu | MB8114, MB8114L | аналог | | Hitachi | HM2114, HM1-2114 | аналог | | Toshiba | TMM314, TC5514 | близкий (кэш) | | Mostek | MK4114 | аналог | | Mitsubishi | MSM2114, JT2114 | аналог | | National Semiconductor | P2114, NMC2114 | аналог | | Samsung, Hyundai | KM2114, HY2114 | второисточник | | Texas Instruments | TMS2114 | аналог |

Совместимые компьютерные/приборные платформы той эпохи, где они применялись:
Apple II, Apple IIe/IIc (частично), IBM PC/XT (модули), Спектрум-совместимые машины, памяти принтеров, мейнфрейм-контроллеров, промышленные CRT-терминалы, VDUs, синтезаторы, S-100 платы, ранние микрокомпьютеры (DEC PDP, VME-модули).

⚠️ Замечания по замене

1. Индекс «-5» равен 50 нс — при замене на более медленную (-три или -би) работоспособность возможна, но с падением быстродействия системы.
2. Более быстрый (-2, -3) всегда принимается как полноценная замена.
3. У военных версий (M-префикс) отличаются условия скрининга, но не логика.
4. Схема выводов — полная кросскодовая совместимость с семейством 2114, что делает аппаратную замену прямой.

Если нужно, могу оформить это в JSON/CSV-таблицу, сделать краткий даташит-лист или подобрать эквивалент в AppNote Silicon Expert.

Ver ификация: часть чисел (например, точные суб-микро-задержки типа tOE, tPU, IDD-max) требует сверки с оригинальным datasheet ф. Intersil 1986–1993; если у вас есть PDF конкретного suffixes — пришлите, приведу канонично.