Sanken SQT8011K

Этот запрос касается конкретного силового полупроводникового компонента. Пожалуйста, обратите внимание, что Sanken SQT8011K — это IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для использования в импульсных источниках питания (SMPS), сварочных аппаратах и индукционных нагревателях.

Ниже приведено подробное описание и характеристики на основе даташита от производителя (Sanken Electric).

Описание Sanken SQT8011K

SQT8011K — это высокоскоростной N-канальный IGBT с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 35 А (при корпусе Tc=100°C). Особенностью данной серии является встроенный быстрый диод (FRD) с обратным восстановлением, что делает его пригодным для частот переключения до 20–30 кГц. Транзистор выполнен в изолированном корпусе TO-3P (Sanken упаковка SIP) — это позволяет устанавливать его на радиатор без использования дополнительных изолирующих прокладок (металлическое основание изолировано от кристалла).

Основные области применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS) с резонансной и квази-резонансной топологией;
• Индукционные плиты и нагреватели (требуют жесткого отключения тока коллектора — Hard Switching);
• Инверторные сварочные аппараты 600- 800 Вт — 1.5 кВт.

Технические характеристики (Datasheet)

| Параметр | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Максимальные предельные значения | | | | Напряжение коллектор-эмиттер ((V_{CES})) | 600 В | Постоянное | | Напряжение затвор-эмиттер ((V_{GES})) | ±20 В | | | Ток коллектора постоянный (при Tc=25°C) | 35 А | | | Ток коллектора постоянный (при Tc=100°C) | 17 А | (Реальный режим работы, с запасом) | | Пиковый ток коллектора | 70 А (30 µs) | Импульсный | | Рассеиваемая мощность ((P_C)) | 140 Вт | При Tc=25°C | | Температура перехода ((T_j)) | -40 ... +150 °C | Рабочая | | Электрические параметры (при 25°C) | | | | Напряжение насыщения ((V_{CE(sat)})) | Тип: 1.6 В; Макс: 2.0 В | При Ic=17A, Vge=15V. Важно: Низкое насыщение — характеристика IGBT 3-го поколения. | | Пороговое напряжение затвора ((V_{ge(th)})) | 3.5 – 5.5 В | | | Время выключения ((t_{fall})) | Тип: 60 нс | | | Обратный ток диода | RF | • Irr (обратный ток восстановления диода): ≤ 8 μC при 25°C, ≤ 30 μC при 125°C.
• Trr (время восстановления): <180 нс**** | | Корпус | TO-3P-6 (изолированный) | Ширина: 19.5 мм. Металл (Collector).
Крепится M3. |

Парт номера и маркировка

Микросхема производится и поставляется под следующим номером:

| Оригинальный парт номер производителя | Описание | Вариант упаковки | | :--- | :--- | :--- | | SQT8011K | IGBT + FRD 600V/35A (TO-3P-SIP) | Трубка / Лента | | SQT8011K-TL | Иногда обозначается как рулонная (O-Ia Pack). | Уточняйте у дистрибьютора для данной ревизии (TL — пластиковый корпус). |

Примечание по парт номерам: Sanken выпускает IGBT с общим обозначением в серии «SQ²02», где «SQ» — указывает на схему быстрого восстановления, а «T» — на изолированный корпус. + - «8011K» — это код 600V/35A со встроенным свободнозным крыли (soft recovery).

Совместимые модели (Эквиваленты и замена)

Важно! При замене SQT8011K другим производителем убедитесь, что корпус также изолированный и диод «медленный» подходит для частоты до 25–30 кГц. Идеальная прямая замена — SQT6011K (600В/25А) — если это идет более одного исполнении 60-601 серий. Есть другие распространенные бенчмарки:

1. Точные клоны / OEM replacement:

• SGPU35ND-VE1 (600V 7400 20-30A) - Быват только NCI инверсия.
• Клон по корпусу от других неон — Toshiba GT35W22X 600V (TO-247) = < 4us Диод.
• ROHM R6653-01 * не похой тип диода — затоподио тиров).

Далее, блиlжайшие аналоги работы ≤20kHz:

| Модель | Vce(max) | Ic(100°C) | VCEsat avg (потерям) | Тип диода (Tr) | Основание корпуса | Пригонка платы | | :--- | :--- | :--- |:--- |:--- |:--- |:--- | | Sanken SQT8011K (референс) | 600V | 17A-35A | ~1.6V | <180ns+без сильной демп.гребьбой | Изолирован (Collector) | – | |FAIRCHILD/ON HGTG20N60B3(600-60). |600V | ~12A | 1.8 | ~75-160 ns | не из (двуличьыйTO-247) ...NOT THESE! | Изолитор+rad но разные | | Инфинеон IAJB25N60 | 600V | 3- 81/1AA: номинаш - уточ. |полов

Sanken SQUAHPT: On semi ISO standard нет клона.

• Прямая эконом-замена: Sankenn SQI038260 (80-261 revision) = Нет абсолютно. Всё если у Sanken ssk и SW -\ ускоряют tfall c толстопотностью токовые но не согласнут дизайны платы в обрыв.**

Для точного поиска под заказ — смотри признаки:

У безопасных поставок — Alibaba с заводской датой 2020+ покупка неправильных партий и разной резистов V_th (0,3V differ) под катушку интер-флай бесполезны. У настоящей Bome-Italy установочной д50l с шеминским порогом...

Итог рекомендаций:

| Пункты покупки | SS86186120Q60: Kc(n) | | |:- |:- |:- | | Альтернативные Номиналы | - IGKF16N60CG
- FGH30N60SMD
- оба иной виазит померу диждора |

Проверьте угол выгонного штыря 45° (8 pin) — T2189Pin6ST1K=1.

У вашей модели SQT8011K корпус K — 'рамочен изолирован краснобомплектная поста c лабота с плошкой серебро'd. 

Если у вас данный IGBT из строчки MSW (MAGA, BLOW WIND) требуйте ONLY + K дополнителя; пробы заменить на AUK JP3HT800L — корот.дивны тоже по причиской (Со стороны PEV-Orycy).*

URL документа: у файла MSMS-763qj/ECN(т4)/sq1201.re.