Tokyo Electron TS4000Z-16
тел. +7(499)347-04-82
Описание Tokyo Electron TS4000Z-16
Отличный выбор. Tokyo Electron TS4000Z-16 — это высокопроизводительный плазменный ашер (плазменный травщик) для обработки кремниевых пластин, один из флагманов в своей линейке. Вот подробное описание и технические характеристики.
Общее описание
Tokyo Electron TS4000Z-16 — это однокамерный плазменный ашер, предназначенный для сухого (плазменного) анизотропного травления диэлектрических и полупроводниковых материалов. Он является частью серии "Z", которая известна своей высокой производительностью, превосходной однородностью и надежностью, критически важными для современных полупроводниковых производств.
Ключевые особенности и назначение:
- Основные процессы: Травление оксида кремния (SiO₂), нитрида кремния (Si₃N₄), поликремния (Poly-Si) с высокой селективностью к подложке.
- Критические применения: Формирование само-совмещенных контактов (Self-Aligned Contacts - SAC), травление оксида в траншеях (STI - Shallow Trench Isolation), удаление нитридных масок, формирование spacers.
- Технология: Использует радикально-ионную плазму на основе фторсодержащей химии (чаще всего CF₄, C₄F₈, CH₂F₂, CHF₃, O₂, Ar и др.) в сочетании с продвинутой системой управления ВЧ-мощностью (часто Dual Frequency — для отдельного управления плотностью плазмы и ионной энергией).
- Конструкция: Вертикальная загрузка пластин (Single Wafer Processing), что обеспечивает высокую однородность и чистоту процесса.
Технические характеристики (Типичные/Обобщенные)
Важно: Фактические параметры могут варьироваться в зависимости от конкретной конфигурации и рецепта.
| Параметр | Характеристика | | :--- | :--- | | Тип обработки | Однопластинная (Single Wafer) | | Размер пластины | 300 мм (стандартно для TS4000Z-16) | | Производительность | До 100+ пластин в час (зависит от процесса) | | Вакуумная система | Высокоскоростная система откачки с турбомолекулярными насосами | | Источник плазмы | CCP (Capacitively Coupled Plasma) с двухчастотным возбуждением (например, 40 МГц/13.56 МГц) для независимого контроля плотности плазмы и напряжения смещения | | Система подачи газа | Многоканальная (MFC) система для точной подачи нескольких технологических газов | | Контроль конца процесса | Оптическая эмиссионная спектроскопия (OES) в реальном времени | | Управление | Полная автоматизация, интерфейс с заводской системой управления (SECS/GEM) | | Чистота | Высококлассная конструкция для минимизации загрязнений частицами и металлами |
Ключевые технологические показатели:
- Однородность травления: < 3% (1σ) в пределах пластины.
- Селективность: Высокая селективность травления SiO₂/Si или Si₃N₄/Si (может достигать >100:1 в оптимальных условиях).
- Профиль травления: Вертикальный, анизотропный профиль с минимальным undercut.
- Повторяемость: Высокая воспроизводимость процесса от пластины к пластине и от партии к партии.
Парт-номера (Part Numbers) и ключевые компоненты
Парт-номера специфичны для каждого модуля и сменной части. Вот основные категории и примеры номеров (общие, фактические номера зависят от ревизии):
-
Основной модуль (Mainframe):
- TS4000Z-16 — базовое обозначение модели.
- Могут быть суффиксы для обозначения ревизии или специфической конфигурации (например, TS4000Z-16A).
-
Ключевые сменные узлы (Consumables):
- Верхний электрод / Камера (Upper Electrode / Chamber Kit):
TEL Part: Z40107-xxxxx(пример для комплекта верхнего электрода)TEL Part: Z40108-xxxxx(пример для фокусирующего кольца)
- Нижний электрод / Подложкодержатель (Lower Electrode / ESC - Electrostatic Chuck):
TEL Part: Z40100-xxxxx(пример для керамической пластины ESC)TEL Part: Z40101-xxxxx(пример для основания держателя)
- Газораспределительная пластина (Faceplate / Showerhead): Из кварца или керамики с покрытием.
TEL Part: Z40106-xxxxx
- Вакуумное уплотнение (O-Rings, Seals):
- Различные номера для уплотнений камеры, газовых линий (часто из перфторэластомера).
- Детектор конца процесса (OES Window): Кварцевое окно.
TEL Part: Z40300-xxxxx
- Фильтры (MFC Filters, Pump Filters):
TEL Part: Z45010-xxxxx(пример для фильтра линии газа)
- Верхний электрод / Камера (Upper Electrode / Chamber Kit):
-
Критически важные модули:
- Модуль ВЧ-генератора (RF Generator Unit): Например, от производителя Daihen или Advanced Energy.
TEL Part: Z44010-xxxxx(для генератора 40 МГц)TEL Part: Z44011-xxxxx(для генератора 13.56 МГц)
- Модуль блока ESC (ESC Power Supply Unit):
TEL Part: Z44020-xxxxx
- Модуль управления газом (Gas Control Unit):
TEL Part: Z43000-xxxxx
- Модуль ВЧ-генератора (RF Generator Unit): Например, от производителя Daihen или Advanced Energy.
Для точного определения парт-номера всегда используйте официальные каталоги TEL или систему управления оборудованием (MES), так как номера часто обновляются.
Совместимые модели и место в линейке TEL
TS4000Z-16 является частью большого семейства ашеров TEL. Совместимость обычно рассматривается в контексте:
- Совместимость процессов: Может выполнять аналогичные процессы с более старыми или новыми моделями при переносе рецептов (с калибровкой).
- Совместимость компонентов: Некоторые сменные детали (особенно стандартные уплотнения, фильтры) могут быть общими в пределах серии.
Прямые аналоги и модели из той же линейки:
- Предшественники: Модели серии TS4000 и TS3800 (для 200 мм). TS4000Z — это эволюционное развитие этих платформ.
- Младшие/Старшие модели в серии "Z": Существуют другие конфигурации (например, с другими вариантами ВЧ-систем или для специфических материалов), которые могут иметь схожую архитектуру.
- Преемники и более новые платформы: Для самых передовых узлов (например, 5 нм и менее) TEL предлагает платформы следующего поколения, такие как Tactras™ или Symmetrica™, которые являются логическим развитием технологий, отработанных на TS4000Z.
Совместимые кластерные платформы: TS4000Z-16 часто интегрировался как модуль в кластерные производственные системы TEL:
- Trias™: Кластерная платформа для процессов травления и очистки.
- Syntex™: Кластерная платформа для процессов осаждения и травления.
Вывод: Tokyo Electron TS4000Z-16 — это проверенная, высоконадежная и точная промышленная система для критических этапов травления в производстве полупроводниковых устройств. Его основная сила — в стабильности, высокой селективности и однородности процессов травления диэлектриков.