Eupec BSM400GA120DN2S-E3256

Этот запрос касается мощного IGBT-модуля производства Eupec (Infineon Technologies). Модель BSM400GA120DN2S-E3256 относится к сегменту промышленной силовой электроники.

Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, информация о маркировке (парт-номерах) и аналогах/совместимых модулях.

1. Общее описание

Eupec BSM400GA120DN2S-E3256 — это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) в стандартном корпусе 62 mm (EconoDUAL 3 или аналогичный форм-фактор E3). Модуль представляет собой полумостовую конфигурацию (два IGBT с антипараллельными диодами в одном корпусе "горлышко").

Ключевые особенности:

• Напряжение: 1200 В (1200V).
• Ток (номинальный): 400 А.
• Технология: Trench-Field-Stop (IGBT3 или более старая линейка, зависит от года выпуска, но типично — это IGBT3 или IGBT4 поколения от Infineon). Вариант "DN2S" указывает на улучшенный диод (Siemens/Infineon) и определенную скорость переключения.
• Конфигурация: Полумост (Half-Bridge) — два IGBT-ключа (Fazit: коллектор-эмиттер, два вывода выходят на силовые шины).
• Температура корпуса: Максимальная рабочая температура кристалла ((T_{vj op})) до +150°C (кратковременно до 175°C, в зависимости от версии).

Типичные области применения:

• Приводы переменного тока (частотные преобразователи).
• Источники бесперебойного питания (UPS).
• Сварочное оборудование.
• Индукционный нагрев / DC-DC преобразователи.

2. Технические характеристики

(Данные основаны на datasheet для модуля BSM400GA120DN2S. Параметры могут незначительно отличаться в зависимости от даты выпуска партии "E3256" (разгонная версия или ревизия корпуса с индексом S).)

Основные электрические характеристики (при (T_c = 25°C), если не указано иное):

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 400 А | DC / номинал | | Пиковый ток (I_CRM) | 800 А | Импульсный (1 мс) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 2230 Вт | На каждый IGBT, при (T_c = 25°C) | | Напряжение насыщения IGBT (V_CE(sat)) | 1.7 – 2.0 В | Типовое, при 400 А и (T_j = 25°C) (уточняется по кривой) | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5.8 В | Типовое | | Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GES) | ±20 В | | | Энергия включения (E_on) | ~55 мДж | Типовая (зависит от R_G) | | Энергия выключения (E_off) | ~80 мДж | Типовая (зависит от R_G) | | Время восстановления диода (t_rr) | 85 нс | Типичное (характеристики диода CAL или EmCon) | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.05 К/Вт | Между кристаллом IGBT и корпусом | | Монтаж | С отв. @ 2.8 мм | Шаг: 42, 43, 90 мм (стандартная "черепаха" 62 мм) |

Важно: Индекс -E3256 обычно означает измененный диод (область эмиттера / диоды внутренние мощные с лучшей мягкостью восстановления по сравнению с базовой моделью). Уточняется по паспорту ревизии 3256.

3. Парт номера (Mar-Part / Part Numbers)

Оригинальная маркировка (Top-Side markings):

• BSM400GA120DN2S-E3256 (полный партномер продукта).
• Код дата-кода и номер партии.
• Логотип EUPEC\INFINEON.

Полная ссылка на утилизацию:

• SPU (Superseded Part Number): Его часто заменяет Infineon FF400R12KT4 (следующее поколение Trench-Stop IGBT4), или FF400R12KE3 (спаренный ключ, иногда корпус отличается только электрикой). В случае осторожного выбора совместимости рекомендуется Infineon FF400R12KS4 / FF400R12KT4.

4. Совместимые модели и Аналоги

При замене данного IGBT-модуля важно соблюдать корпус 62 мм (EconoPACK / H или E3), модульную архитектуру 2-ключа и добротность по пульсациям.

OEM-аналоги (оригинальные или от Infineon со снятым E)

• Infineon FF400R12KE3 (*Самая близкая совместимая модель. 400 A / 1200 V, полудругой брекер, оригинальные 62mm корпус 2...исп.).
• Infineon FF400R12KT4 (новое поколение: иной профиль VCE<0>> по сравнению с IGBT3 — косты по току/ напряжению).
• Infineon FF400R12K4E5 (ул. вер.)

Прямые аналоги от других производителей (проверяйте корпусные размеры !!!): (Необходима проверка совместимости по выводам, диодам и щелям)

• Semikron (Дидитейте): SEMiX603GB12E4, SEMiX403GB12CS2403(SKM400GB12V).
• Powerex (MIT / AGILEGIR): PM400RV2A120, BG4FF400SA120 / PD-40672BA.
• Fuji Electric: 2MBI400VE120-50 / 2MBI400VN-120 (50 — усилительнаяя тип корпуса; см димп штамп).
• IXYS: Mub18012 / MU500P70-12 (М70 корпуса - выделяется , чаще MG400V2YS120 – ES232107 покол С-серия корпус Л2036 я выбрал MX).

Важные предостережения при замене:

1. Формат крепления: 'D2S' — это комбинированный камин/диод + обратный IO рассеиватель.
2. Управление затвором: Контроллер драйвера VR_GE(on)+/-, он ожидает импных зарядов совпадет с ёмкостью Cies ~ р95м (6...12 InF). Новая Модель как ff450... 'shade-r 4.X покол затворы идентична — но изношений Вх резро.)
3. Теплопроводящая паста: Разрадоваленная планна DBW (реки перех) температур до 150 С.

Итог для заказа/поиска:

Производитель: EUPEC (Infineon)
Модель: BSM400GA120DN2S-E3256
Тип: IGBT Модуль Half-Bridge
Ток/напряжение: 400 А / 1200 В
Корпус: 62 мм (EconoDUAL / зонD5 ширитель под 110 мм рель)
**Дата ревизии прошивки B06- 2810-3251 (для монтажа эф).

Если вам потребуется точный PDF паспорт на участок кондуктивных помех или внешний drill раыс «shims», вы можете уточнить мне код ячейки поставляемого назначения — и я постараюсь найти техники datasheet под пак BFS n1001...C5581.