Eupec BSM75GB120DN1E — IGBT-модуль

Описание

BSM75GB120DN1E — это силовой IGBT-модуль производства компании Eupec (ныне подразделение Infineon Technologies), выполненный по схеме однофазного (duo) IGBT-полумоста с обратными диодами. Модуль предназначен для работы в силовых преобразователях: инверторах, частотно-регулируемых приводах, ИБП, сварочном оборудовании и аналогичных применениях.

Конструктивно модуль представляет собой два IGBT-транзистора, включённых по схеме «верхний/нижний ключ» (half-bridge / duo), каждый из которых шунтирован встречным (free-wheeling) диодом. Корпус — стандартный промышленный модуль с изолированным основанием.

Модуль относится к серии DN1 (низкие потери, оптимизирован для работы на частотах до ~20 кГц).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | IGBT half-bridge (duo) модуль | | Напряжение коллектор-эмиттер Vces | 1200 В | | Ток коллектора Ic (Tc = 80 °C) | 75 А | | Ток коллектора пиковый Icm | ~150 А | | Ток обратного диода IF | 75 А | | Напряжение насыщения Vce(sat) | ~2,5–3,0 В (тип.) | | Время включения / выключения | ~ 0,2 / 0,5 мкс (тип.) | | Заряд обратного восстановления Qrr | ~ 1,5 мкКл (тип.) | | Сопротивление изоляции | ≥ 2,5 кВ (RMS, 1 мин) | | Рабочая температура перехода Tj | −40…+150 °C | | Максимальная температура хранения | −40…+125 °C | | Тип корпуса | Модуль 34 мм, клеммы M5 | | Изоляция | изолированное основание (Al₂O₃) |

⚠️ Точные значения параметров зависят от режима и партии; для проектирования используйте даташит Infineon/Eupec.

Парт-номера и аналоги / взаимозаменяемые обозначения

В разных системах встречаются следующие варианты записи:

• BSM75GB120DN1E — основной парт-номер (Eupec)
• BSM 75 GB 120 DN1 E — расширенная запись
• BSM75GB120DN1
• BSM75GB120DN1E3286 — вариант с суффиксом серии/партии
• BSM75GB120DN1EH
• Аналоги и совместимые линейки (не всегда pin-to-pin):
  • BSM75GB120DLC (более быстрая серия)
  • BSM75GB120DN2 (серия DN2 — другая технология)
  • Infineon FF75R12RT4 / FF75R12KS4 / FF75R12ME4 — современные аналоги того же класса 1200 В / 75 А (возможны отличия по корпусу и характеристикам)
  • Semikron SKM75GB12T4 / SKM75GB123D
  • Mitsubishi CM75DY-24H (другой класс, ~1200 В / 75 А)

⚠️ Полная pin-to-pin замена возможна только после сверки цоколёвки, тепловых и динамических характеристик. PN-номера аналогов производителей не всегда совместимы конструктивно.

Совместимые модели оборудования

Точного списка «совместимых устройств» производитель не публикует — модуль универсальный и применяется в силовой электронике. Чаще всего встречается в:

• инверторах питания электродвигателей (HF-приводы, VFD);
• источниках бесперебойного питания (ИБП / UPS) средней мощности;
• сварочных инверторах (MMA/TIG/MIG);
• импульсных источниках питания (SMPS) высокой мощности;
• приводах станков и промышленной автоматике;
• инверторах солнечной энергетики (старые модели);
• преобразователях частоты ряда брендов: Siemens, ABB, Lenze, Danfoss, Allen-Bradley, Yaskawa (в старых сериях), а также ремонтные аналоги для Eupec-модульных сборок.

Точную совместимость нужно проверять по:

1. Схеме включения (duo / half-bridge);
2. Напряжению и току класса (1200 В / 75 А);
3. Габаритам и цоколёвке;
4. Динамическим параметрам (время переключения, Qrr).

Замечания по применению

• При замене обязательно использовать аналогичные параметры Vce(sat), Qrr, Eon/Eoff, иначе возможны проблемы с EMI и нагревом.
• Рекомендуется применять демпферные/защитные цепи (RCD-снабберы) по стандартной схеме.
• Затяжка силовых клемм — с моментом, указанным в даташите (обычно ~ 3–5 Н·м для M5).
• Для точного подбора замены рекомендуют Datasheet оригинала + кросс-референс Infineon/Semikron.

Если нужно, могу подготовить:

• таблицу сравнения с конкретными аналогами (Semikron, Infineon, Mitsubishi);
• схему включения half-bridge и типовой драйвер.