STP80NF55-08 — N-канальный MOSFET

Описание

STP80NF55-08 — мощный N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) от компании STMicroelectronics, выполненный по технологии STripFET™ II. Предназначен для работы в режиме переключения с низкими потерями и высокими токами.

Транзистор имеет низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on) = 8 мОм при VGS = 10 В), что обеспечивает минимальные потери проводимости и высокий КПД. Корпус TO-220 обеспечивает эффективный отвод тепла и удобство монтажа на радиатор.

Основные применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Схемы управления двигателями
• Инверторы и преобразователи напряжения
• Коммутация мощных нагрузок
• Схемы защиты и силовые ключи

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET | | Технология | STripFET™ II | | Корпус | TO-220 (TO-220AB) | | Напряжение сток-исток (VDS) | 55 В | | Ток стока непрерывный (ID) при TC=25°C | 80 А | | Ток стока импульсный (IDM) | 320 А | | Напряжение затвор-исток макс. (VGS) | ±20 В | | Сопротивление канала RDS(on) | 8 мОм (тип.) при VGS=10В, ID=40А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2,0 – 4,0 В | | Крутизна (gfs) | 60 См (тип.) | | Общий заряд затвора (Qg) | ~105 нКл (макс.) | | Заряд затвор-сток (Qgd) | ~35 нКл | | Входная ёмкость (Ciss) | ~4200 пФ | | Выходная ёмкость (Coss) | ~900 пФ | | Время включения (ton) | ~20 нс | | Время выключения (toff) | ~70 нс | | Рассеиваемая мощность (PD) при TC=25°C | 300 Вт | | Рабочая температура перехода (Tj) | −55 … +175 °C | | Тепловое сопротивление RthJC | 0,5 °C/Вт | | Тип канала | Обогащённый (Enhancement mode) |

Парт-номера и маркировка

| Парт-номер | Описание | |---|---| | STP80NF55-08 | Базовый парт-номер, TO-220 | | STP80NF55-08 ❤ / STP80NF55-08AG | Версии с улучшенными параметрами (в зависимости от партии Revolve) | | STB80NF55-08 | Аналогичный кристалл в корпусе D²PAK (TO-263) | | STI80NF55-08 | Аналогичный кристалл в корпусе I²PAK / TO-262 | | STW80NF55-08 | Версия в корпусе TO-247 |

Примечание: точные обозначения могут отличаться в зависимости от года выпуска и спецификаций дистрибьюторов. Рекомендуется сверяться с официальным datasheet STMicroelectronics.

Совместимые и аналогичные модели

Прямые аналоги от других производителей:

| Производитель | Модель | Параметры | |---|---|---| | IR (Infineon) | IRFZ48N | 55В, 64А, RDS 14 мОм | | IR (Infineon) | IRF3205 | 55В, 110А, RDS 8 мОм | | Vishay | IRF3205PBF | 55В, 110А, RDS 8 мОм (ближайший аналог) | | Fairchild / ON Semi | FQP80N06 | 60В, 80А, RDS 8 мОм | | Toshiba | TK80E08K3 | 80В, 80А, RDS 8,5 мОм | | Vishay | SUP80N06-08 | 60В, 80А, RDS 8 мОм | | Alpha & Omega | AOT290L | 60В, 100А, RDS 5 мОм |

Совместимые (заменяемые) модели в circuit:

• IRF3205 — наиболее популярная замена (незначительное отличие по RDS)
• P80NF55 — прямое обозначение семейства
• STP80NF55L-08 — логический уровень управления
• STP80PF55 — P-канальная комплементарная пара (для двутактных схем)
• IRLZ44N — при работе с логическими уровнями (44А, но ниже ток)
• IRF1404 — 40В, 162А (если допустимо снижение напряжения)

Рекомендации по применению

• Для полного открытия подавайте VGS ≥ 10 В
• При высокочастотной коммутации (ШИМ > 20 кГц) необходим драйвер затвора с током не менее 1–2 А
• Обязателен радиатор при токах свыше 20–30 А
• Для подавления выбросов используйте супрессор или RC-цепочку сток-исток
• Последовательно с затвором рекомендуется резистор 10–22 Ом

Если нужно, могу подобрать конкретную замену под вашу схему (укажите напряжение, ток и частоту коммутации) или нарисовать схему включения.