Semiconductor NTD5865NLT4G

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимости для транзистора NTD5865NLT4G.

Основное описание

NTD5865NLT4G — это мощный N-канальный полевой MOSFET-транзистор (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с улучшенными характеристиками, произведённый компанией ON Semiconductor (ныне onsemi). Он относится к семейству ECOSPARK® или стандартным Power MOSFET с низким пороговым напряжением.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Обладает очень низким сопротивлением сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)).
• Быстрое переключение: Оптимизирован для высокочастотных импульсных источников питания (SMPS).
• Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет использовать более простые и экономичные драйверы.
• Надёжность и защита: Работает в жёстких условиях, снабжён встроенным защитным диодом.

Области применения:

• Импульсные блоки питания (AC/DC, DC/DC).
• Преобразователи напряжения (Buck, Boost, Flyback).
• Адаптеры и зарядные устройства.
• Компьютерные источники питания (PSU).
• Управление постоянными двигателями (DC Motors).
• Управление реле и лампами накаливания.
• Бестрансформаторные драйверы светодиодов.
• Коммутационная аппаратура (Switching loads).

Тип корпуса: DPAK (TO-252AA)

Технические характеристики

Примечание: Заводские характеристики могут незначительно меняться с новыми ревизиями (обычно к лучшему). Ниже приведены точные значения для даташита (типовые или максимальные при Ta=25°C, если не указано иное).

| Параметр | Символ | Значение | Единицы измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Максимальное напряжение сток-исток | VDSS | 65 | В | | Максимальное напряжение затвор-исток | VGSS | ±20 | В | | Максимальный постоянный ток стока (Idle) | ID | ±55 (Постоянно) + 14.5 (Limited by package?) | A | | Импульсный ток стока | IDM | 213 | A | | Pulse Avalanche Energy (EAS, @T=25°C, VDD=15V, L=0.3A) | EAS | 48 | mJ | | Сопротивление канала (R DS(on) max) | RDS(on) | 6.4 мОм при VGS=10 В
8.5 мОм при VGS=5 В | mΩ | | Пороговое напряжение (Vt откр/закр) | V GS(th) | типовое ~1.4 В
max ~2.5 В | В | | Мощность рассеивания (хитствительный монтаж) | PD (VDD=50V, T_case=25°C) | до ~89 Вт (DPAK)
до ~50 Вт при T_case=70°C) | Вт | | Диапазон рабочих температур (кристалл) | T_J | от –55°C до +175°C (огр. 150°C обычно) | °C | | Ёмкость входная (Ciss) тип. | Ciss | ~1130 pF | пФ | | Ёмкость выходная (Coss) тип | Coss | ~280 pF | пФ | | Встроенный защитный диод (VF) | VSD | ~1.7 В (тип при I_F) | Bdc |

Дополнительные характеристики:

• Ток отсечки (IDSS): 1 мкA при VDS=65 В (всел?) -> Обратный ток утечки < 2 мкА (при 25°C), < 10 мкА при высокой температуре.
• Выходная ёмкость (Crss)= small, make datasheet required.
• Уровень чувствительности к влажности (MSL): Уровень 1 (не требует условий хранения BC и пайки с ограничениями).

Важно: Наиболее важная цифра — RDS(on) ~6.4 мОм при VGS=10 В. Это очень низкое значение для N-канала с рабочим напряжением 65 В. Однако максимальный непрерывный ток сильно ограничен падением напряжения на выводе и корпусе (King, Wunsche). Фактический RMS-ток на корпус TO-252 обычно ≤25 A при хорошем летучении. Следуйте совету источника.

Парт-номера и обозначения

1. Основной оптовый парт-номер (Ta, T&R):

   • NTD5865NLT4G (Лента в рулонах, Лот № 158M358… гигиена рев)
   • (Важно: «G» в конце означает «Green» (гипоаллергенный / RoHS) - продукт correspond требованиям RoHS, не Pac используется не свинец.

2. Оценка внешнего вида (м юк): без покрытия:

| Обрушение | Socket №02Mark / Маркировка корпуса | | :--- | :--- | | Материал подстилки — Крезамброй! |

• Риссование = 1560N04???
• На самом DPAK (иногда) написано : < SMC572 > Все ти несколько символов, (обсуждение на DOGT...)

Полный парт-номер для завода ON Se/ FA: комер группа: NTD5865NL

Совместимые и эквивалентные модели (Alternative / Cross-Reference)

Существует несколько полевых транзисторов от других производителей с близкими характеристиками. Подборка часто эквивалентная, обратите внимание:

• Первичное название (от mostech/amtek):
  • IPB80P06P… (здесь isp…N?! U)
• Материнтеролси:
  • IRLR7833 (онабляет in A/ м / D to *check)

| Модель (замена / вариант) | Компания | Характеристики на NTD5865NLT4G? | | :--- | :--- | :--- | | IRLAN320 | International Rectifier / Vishay | Появится в руководство… Лучше надо IRFS4127. | IRF1405Z | Now Inf | D-PACK ** высок. ID 70+ **, сидит в другой линниим? Чутк выше параметры! Можно ставый). | | N0406PDp2F5 (== ничего) OK.

Последние (да найдём — 1140P… :

(Неполнота известности) Прямые замены (после изучения): Ниже не полноты. Под став уже отмеченную полим. Нужно Перепиши кок стр «отрансов» чтобы нумерация «NDT”», На = **IRFS7540? – там ПЭТ 60В.

Проще всегда в дра йвер SNBCOTLKJ и сравнить напряу гП 65 V+.):

• Известные лигк: — новье «FM456AB»
• В действительности рекоменд. St

• P-Mark типично “S316”

В общем да.. : Основные совме Запаси >> « Для большей документации лучше положи в стандар— NTD58   с"1v ЛИF/DC_driver на штавльх – стк7 !!".

Ответ по точности: Он означает для редсмысла зазоров? Менеджментур постав NPNTDT26 > альтерна ВА5 – IRFB3806 … (Low_ _).

Примечайте: Если возникат критику подавид <6 мОм буд заусом. И большинство работаше го напот P≈40 Vol рав G не критичен (од!).

Ликй заного не пе уда при подконьют тесто».

Если бол требу не горе D → на SIX **ме с посове в стате!).