Semiconductor FDD6696

Semiconductor FDD6696
Артикул: 1661898

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor FDD6696

FDD6696 — N-Channel MOSFET (Fairchild / ON Semiconductor)

Описание

FDD6696 — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором), произведённый компанией Fairchild Semiconductor (в настоящее время — ON Semiconductor / onsemi). Транзистор выполнен по технологии PowerTrench®, предназначен для применения в импульсных источниках питания, схемах управления и силовой электронике. Он отличается низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Тип корпуса: TO-252 (DPAK)


Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Технология | PowerTrench® | | Напряжение сток-исток (VDS) | 30 В | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | Ток стока непрерывный (ID) | 50 A (при TC = 25°C) | | Ток стока импульсный (IDM) | 180 A | | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS(on) | 6 мОм (тип.) при VGS = 10 В; 8 мОм (макс.) | | RDS(on) при VGS = 4.5 В | 8.5 мОм (тип.) / 11 мОм (макс.) | | Заряд затвора (Qg) | ~20 нКл (тип.) | | Ёмкость входная (Ciss) | ~1600 пФ | | Пороговое напряжение (VGS(th)) | 1.0–3.0 В | | Мощность рассеяния (PD) | 65 Вт (TC = 25°C) | | Рабочая температура | −55…+175 °C | | Корпус | TO-252AA (DPAK) |


Парт-номера (Part Numbers)

  • FDD6696 (базовый)
  • FDD6696_NL (без свинца)
  • FDD6696-F085
  • FDD6696B (вариант исполнения)
  • Код маркировки на корпусе: 6696

Производители-держатели: Fairchild SemiconductorON Semiconductor (onsemi) → Также может поставляться под маркой Fairchild до 2016 г. по тому же партномеру.


Совместимые (pin-to-pin) аналоги и замены

Прямые аналоги от других производителей (TO-252, N-ch, 30V, ~50A):

| Партномер | Производитель | Примечание | |---|---|---| | IRFR024N | Infineon / IR | близкие параметры | | IRLR024N | Infineon | вариант TO-252 | | IRFR3709Z | Infineon | 30 V, 5.9 мОм | | IRLZ44N | Infineon | логический уровень | | IRLR7843 | Infineon | 30 V, low RDS | | STD60NF3LL | STMicroelectronics | 30 V | | STP55NF06L | ST | несколько выше VDS | | IRF3205S | Infineon (в D²PAK/DPAK) | больше ток | | AOD4184 | Alpha & Omega | 30 V | | AOD442 | AOS | 30 V, 6 мОм | | NTD5867NL | onsemi | 30 V, pin-to-pin | | NVD5805N | onsemi | авто-версия | | SI4454DY | Vishay | 30 V | | FDD8880 | Fairchild/onsemi | аналогичные параметры |

Эквиваленты с P-каналом (не замены!) — упоминаются только чтобы не путались:

FDD6696 — только N-канал. Путать с FDD6680, FDD8896 нельзя — у них разные параметры.


Совместимые модели устройств (где обычно применяется)

FDD6696 встречается в:

  • Импульсных блоках питания (SMPS)
  • DC-DC преобразователях (понижающих/повышающих)
  • Схемах управления двигателями
  • Материнских платах ПК и VRM (старых поколений)
  • Ноутбуках — в цепях питания и зарядки
  • Телевизорах, мониторах (инверторные схемы)
  • Схемах защиты от обратного тока и load switch
  • Автомобильной электронике 12 В

Прямого указания «только для модели X» у этого кристалла нет — он используется как общий силовой N-MOSFET. Конкретные модели: схемы питания ASUS/MSI/Gigabyte (VRM), десктопные и серверные материнские платы на чипсетах Intel/AMD прошлых поколений, блоки питания ATX 300–600 Вт.


Примечания

  1. При замене обязательно сверяйте схему включения (high-side / low-side), ток и напряжение переключения.
  2. Для работы с логическими уровнями (3.3–5 В) лучше логико-совместимые версии (VGS(th) ниже, RDS(on) при 4.5 В).
  3. Даташит ищется под названием "FDD6696 PowerTrench MOSFET Datasheet" на сайте onsemi.com.

Если нужно — могу подобрать замену под конкретную задачу (напряжение, ток, корпус, драйвер затвора).

Совместимые модели для Semiconductor FDD6696

Semiconductor FDD6696

Товары из этой же категории