Semiconductor BCP53-16T1G

Semiconductor BCP53-16T1G
Артикул: 1662932

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor BCP53-16T1G

BCP53-16T1G — PNP биполярный транзистор средней мощности

Описание

BCP53-16T1G — это PNP биполярный транзистор (BJT) средней мощности, выпускаемый компанией onsemi (ранее ON Semiconductor). Предназначен для общего применения в схемах усиления и переключения. Транзистор поставляется в корпусе SOT-223 (поверхностный монтаж), что делает его удобным для компактных печатных плат и автоматизированной сборки.

Ключевые особенности:

  • Высокое напряжение коллектор-эмиттер (до −80 В)
  • Ток коллектора до −1,5 А
  • Низкое напряжение насыщения
  • Дополнительный PNP-комплемент — BCP56 (NPN)
  • Соответствует требованиям RoHS, без галогенов

Технические характеристики (при Tc = 25 °C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Ед. | |---|---|---|---| | Тип транзистора | — | PNP | — | | Напряжение коллектор–эмиттер | VCEO | −80 | В | | Напряжение коллектор–база | VCBO | −100 | В | | Напряжение эмиттер–база | VEBO | −5 | В | | Ток коллектора (пост.) | IC | −1,5 | А | | Импульсный ток коллектора | ICM | −3 | А | | Рассеиваемая мощность | PD | 1,5 (на плате) / ~3 (с радиатором) | Вт | | Граничная частота | fT | 50 (тип.) | МГц | | Коэффициент усиления | hFE | 100–250 (группа «16») | — | | Напряжение насыщения К–Э | VCE(sat) | −0,5 макс. при IC=−500 мА, IB=−50 мА | В | | Напряжение насыщения Б–Э | VBE(sat) | −1,0 макс. | В | | Тепловое сопротивление переход–корпус | RθJC | ~10 | °C/Вт | | Тепловое сопротивление переход–среда | RθJA | ~90 | °C/Вт | | Рабочая температура перехода | TJ | −65 … +150 | °C | | Температура хранения | Tstg | −65 … +150 | °C | | Корпус | — | SOT-223 (4 вывода) | — |

Пояснение по индексу "16": он задаёт диапазон hFE = 100–250.


Цоколёвка (SOT-223)

    ┌─────────────┐
    │             │
  B │ 1          │  ← Вывод 1: База
  C │ 2          │  ← Вывод 2: Коллектор
  E │ 3          │  ← Вывод 3: Эмиттер
    │ 4 (tab)   │  ← Вывод 4: Коллектор (теплоотвод)
    └─────────────┘

(Расположение выводов зависит от конкретной реализации — см. даташит производителя.)


Парт-номера (Ordering / Part Numbers)

| Парт-номер | Упаковка | Примечание | |---|---|---| | BCP53-16T1G | Лента и катушка (Tape & Reel) | Текущий стандарт, RoHS | | BCP53-16T1 | Лента и катушка | Старая маркировка (без «G») | | BCP53-16T3G | Лента и катушка, большая катушка | Вариант упаковки | | BCP53-16 | — | Маркировка на корпусе («BCP53-16» + логотип) | | BCP53-10T1G | — | Группа hFE = 63–160 | | BCP53-16T1G-LF | Лента и катушка | Вариант «Lead-Free» | | BCP53-16H | SOT-223 | Аналогичный продукт других брендов |

Аналоги / кросс-референс от других производителей:

  • Nexperia: BCP53-16, BCP53-16,115
  • Diodes Inc.: BCP53-16
  • STMicroelectronics: BCP53-16
  • Infineon: BCP53-16
  • Toshiba: BCP53-16

⚠️ Формулировки вроде «парт-номеров» могут различаться по суффиксам (G = Green/RoHS).


Совместимые модели

«Совместимые модели» — понятие условное; ниже перечислены:

1. Комплементарные (NPN) транзисторы

Используются в паре с PNP для push-pull, комплементарных каскадов:

  • BCP56 (NPN, комплемент к BCP53) — прямое соответствие
  • BCP56-10, BCP56-16
  • BCX56, BCX56-10, BCX56-16 (в SOT-89 — при другом корпусе)

2. Электрические аналоги и близкие по параметрам

  • MJD32, MJD42 (PNP, ~ −100 В / −3 А, DPAK)
  • BD136, BD138 (PNP средней мощности)
  • 2SB1188, 2SB1189 (ROHM)
  • BCP52, BCP53, BCP55 (семейство BCP5x)
  • BC807-40 / BC807-25 (PNP, SOT-23, менее мощные)
  • PBSS5350 (Nexperia, PNP до −50 В)
  • MMBT2907A (SOT-23, менее мощный)
  • TIP32 (PNP, TO-220, −100 В / −3 А) — для больших токов

3. Устройства, где BCP53 находит применение (совместимые схемы)

  • Линейные стабилизаторы напряжения
  • Драйверы реле, ламп, светодиодов
  • Схемы управления питанием (power management)
  • Аудиоусилители класса AB средней мощности
  • Инверторные каскады
  • Схемы защиты и коммутации

Рекомендации по применению

  • Резистор в цепи базы подбирается исходя из требуемого тока коллектора и hFE.
  • Для токов близких к 1,5 А необходим теплоотвод (медная зона на плате).
  • Для защиты от перегрузок применять диоды/супрессоры при коммутации индуктивных нагрузок.
  • Ориентироваться на полный даташит onsemi BCP53-16T1G для уточнения графиков и предельных режимов.

Если нужен подробный расчёт под конкретную схему или подбор отечественных аналогов — уточните пожалуйста задачу.

Совместимые модели для Semiconductor BCP53-16T1G

Semiconductor BCP53-16T1G

Товары из этой же категории