2SK1995 — N-канальный MOSFET (полевой транзистор)

Описание

2SK1995 — это N-канальный MOSFET с изолированным затвором (вертикальная структура), производимый компанией Toshiba (также встречаются аналоги от других производителей). Транзистор предназначен для применения в импульсных источниках питания, схемах управления нагрузкой и усилителях мощности.

Корпус — TO-220 (изолированный вариант TO-220IS / TO-220FN в зависимости от модификации), что позволяет крепить его на радиатор с хорошим теплоотводом.

Основное назначение транзистора — высоковольтные импульсные схемы: обратноходовые преобразователи, ШИМ-драйверы, коммутация индуктивных нагрузок.

Технические характеристики 2SK1995

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET (обогащённый) | | Корпус | TO-220 (TO-220IS/TO-220FN) | | Напряжение сток-исток V_DSS | 500 В | | Ток стока I_D (постоянный) | 5 А (при T_c=25 °C) | | Импульсный ток I_DP | ~15 А | | Сопротивление открытого канала R_DS(on) | 1,5 Ом (тип.), при V_GS=10 В, I_D=2,5 А | | Пороговое напряжение V_GS(th) | 2,0–4,0 В | | Максимальное напряжение затвор-исток V_GSS | ±30 В | | Крутизна прямой передачи g_fs | ~2,5 См | | Общий заряд затвора Q_g | ~15 нКл | | Входная ёмкость C_iss | ~700 пФ | | Выходная ёмкость C_oss | ~150 пФ | | Проходная ёмкость C_rss | ~30 пФ | | Время включения t_on | ~10 нс | | Время выключения t_off | ~25 нс | | Рассеиваемая мощность P_D | 50 Вт (T_c=25 °C) | | Рабочая температура перехода T_j | от −55 до +150 °C | | Тепловое сопротивление R_th(j-c) | ~2,5 °C/Вт |

Парт-номера (Part Numbers)

Оригинальный парт-номер Toshiba и типовые маркировки:

| Парт-номер | Производитель | Примечание | |---|---|---| | 2SK1995 | Toshiba | Базовое обозначение | | 2SK1995(F) | Toshiba | TO-220IS (изолированный) | | 2SK1995(0) | Toshiba | TO-220 (стандарт) | | 2SK1995-TL | Toshiba | Ленточная упаковка (опция) | | 2SK1995(F,T) | Toshiba | Комбинированная упаковка |

Маркировка на корпусе обычно вида: K1995 + логотип производителя.

Совместимые и аналогичные модели

Прямые аналоги и близкие по параметрам MOSFET с V_DSS ≈ 500 В, I_D = 5–8 А:

| Модель | V_DSS | I_D | R_DS(on) | Производитель | |---|---|---|---|---| | 2SK1995 | 500 В | 5 А | 1,5 Ом | Toshiba | | 2SK2141 | 500 В | 6 А | 1,4 Ом | Toshiba | | 2SK2645 | 500 В | 8 А | 1,0 Ом | Toshiba | | 2SK3569 | 500 В | 6 А | 1,4 Ом | Toshiba | | IRF840 | 500 В | 8 А | 0,85 Ом | Vishay/IR | | IRF830 | 500 В | 4,5 А | 2,0 Ом | Vishay | | STP6NK50 | 500 В | 5,5 А | 1,5 Ом | ST | | STP5NK50Z | 500 В | 5 А | 1,4 Ом | ST | | 2N60 | 600 В | 2 A | 4,5 | много брендов | | 5N50 | 500 В | 5 А | — | много брендов | | BUZ90 | 500 В | 5 A | — | Siemens/Infineon | | TK5A50 | 500 В | 5 А | 1,5 Ом | Toshiba (новее) |

При замене важно учитывать: тип корпуса, наличие изоляции, ёмкости затвора и тепловые параметры.

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS, flyback, forward).
• Драйверы реле, ламповых катушек, соленоидов.
• Электронные балласты люминесцентных ламп.
• Усилители класса D.
• Преобразователи DC-DC высокого давления.
• Схемы защиты и управления нагрузкой высокого напряжения.

Важно: перед прямым использованием проверяйте актуальные заводские техпаспорта (Toshiba datasheet 2SK1995) — параметры могут отличаться в зависимости от конкретной ревизии и производителя-владельца линейки (часть транзисторов Toshiba была переведена в линейки других производителей, а также появились сторонние аналоги).