Toshiba RN1402

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимости для транзистора Toshiba RN1402 (часто маркируется просто как RN1402 или KRN1402).

1. Описание

Toshiba RN1402 — это кремниевый NPN эпитаксиально-планарный транзистор со встроенными резисторами (цифровой транзистор, или Bias Resistor Transistor — BRT). Он относится к серии устройств, предназначенных для упрощения схемотехники за счет интеграции базового резистора и резистора база-эмиттер в одном корпусе. Это позволяет снизить количество внешних компонентов на печатной плате.

Ключевые особенности:

• Встроенные резисторы:
  • Резистор в цепи базы (R1): 10 кОм
  • Резистор база-эмиттер (R2): 4.7 кОм
• Прямая замена дискретной схемы из одного транзистора и двух резисторов.
• Компактный корпус для поверхностного монтажа (SMD).
• Низкое напряжение насыщения.
• Высокое усиление по току во встроенной конфигурации.

Применение:

• Ключевые цепи (включение/выключение нагрузки).
• Формирователи сигналов для микроконтроллеров (интерфейсы GPIO).
• Инверторы и буферные каскады.
• Упрощенное управление малыми моторами, реле, светодиодами.

2. Технические параметры (данные из даташита Toshiba для RN1402):

Предельные параметры (Absolute Maximum Ratings): | Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-база | Vcbo | 50 | V | | Напряжение коллектор-эмиттер | Vceo | 50 | V | | Ток коллектора (постоянный) | Ic | 100 | mA | | Рассеиваемая мощность (на плате) | Pc | 100 (1) | mW | | Температура хранения | Tstg | -55 ... +150 | °C |

Электрические характеристики (при 25°C, если не указано иное): | Параметр | Обозначение | Условия | Минимум | Тип | Максимум | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер насыщения | Vce(sat) | Ic = 10mA, Ib = 0.5mA | — | 0.05 | 0.3 | V | | Ток отсечки | Iceo | Vce = 50V | — | — | 100 | nA | | Коэффициент усиления по току DC | hfe (BRT) | Vce = 5V, Ic = 5mA | 30(?) | 100 | 400 (?) | (точное значение hfe зависит от конкретной партии, но как правило для этой серии > 1000 для базового тока, из-за встроенного резистора) | | Ток базы для управления | Ib(in) | — | — | — | — | A | | Входное сопротивление (R1) | R1 | — | 7 | 10 | 13 | kΩ | | R2/R1 (соотношение) | — | — | 0.37 | 0.5 | 0.68 | — |

1 — Мощность рассчитывается для монтажа на стандартную плату FR4 площадью не менее 50 мм².

Номинальная управляющая способность:

• ICE макс.: 100 мА (рекомендуется не выше 50-80 мА для длительной работы).
• Напряжение насыщения VCE(sat) при высокой нагрузке — низкое (менее 0.3 В).

3. Типы P/N (части/маркировка)

Парт-номера и коды маркировки могут различаться в зависимости от производителя (Toshiba, а также вторичные бренды).

| Тип P/N (парт-номер) | Производитель | Корпус | Код маркировки на корпусе | | :--- | :--- | :--- | :--- | | RN1402 | Toshiba | S-Mini (SOT-23/323) | O или 14, или символ "R" |. | KRN1402 | Tak Cheong (вторичный) | SOT-323 | Помечено как "14X", или лого. | | RN1402G, RN1402T85 | Toshiba (RoHS старые серии) | SC-59 (SOT-23) / SMV / UFV | "0Y" etc. |

Цветовой код или брендовка: В ТТЛ-совместимых ключах можно найти выводы (ABC):

• 1. База (B) - левый
• 2. Эмиттер (E) - правый (иногда по середине - надежнее брать схему из даташита)
• 3. Коллектор (C) - по центру или правый, в SOT-23 видение для SM мини: смотря схему.

• *(B =1? уточните в datasheet по корпусу - для SOT23 стандарт).

Достоверный путь*: Посмотрите: возможно сегодня дают обводку со знаком E [код 12A] - стандартизируется ныне. Лучше: смотрите база (вход), эмиттер по факту datasheet.

Важно: между прочими моделями Toshiba часто этот номер (RN1402) соответствует старой серии. Новые альтернативны IMT3, IMX14 и т.п.

4. Совместимые модели (BOM cross-reference)

Эти компоненты часто применяются там же и взаимозаменяемы при указанных одинаковых номиналах и характеристиках (R1=4k,7k+33k or 10k/4.7k).

| Параметр | Как заменить (Sequel) | Аналоги других брендов | | :--- | :--- | :--- | | Основной R1/R2 (10k/4.7k) фиксированный транзистор. |Ддя ProE leica/MO: | | Тосhiba RN14RZ / TA DS1150, эквив.: | NXP PDTC114EE (R114F23 datasheet open) | || Infineon BCR129...s | Broadcom (Avago) | NDP217 | | Microchip или DiodesZ | DT143** или аналог DTC113/TF | ||OnSemi MMUN221 (MMUN2211 где R1=10k более сошел), ||MMUN223** где соответ. 10k |? | ROHM | нет прямого 10k/4.7 для NPN в BFS? Похоже по типа C.**