Toshiba MG50N2CK1

Это силовой модуль (IGBT) производства Toshiba, предназначенный для использования в промышленных преобразователях частоты, сварочных аппаратах, блоках питания, электроприводах и других устройствах силовой электроники.

Описание

Toshiba MG50N2CK1 — это однофазный N-канальный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), выполненный в изолированном корпусе стандартного типа (чаще всего модульного или TO-3P с изоляцией). Он оптимизирован для коммутации токов средней мощности. Модуль отличается высокой надежностью, низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) и встроенным демпфирующим/защитным диодом (а иногда и чипом для энергосберегающей схемы MDP — хотя в классическом MG50N2CK1 он обычно имеет встроенный ультрабыстрый встречный диод).

Типичное применение: блоки питания переменного тока (инверторы), сварочные инверторы, верхние и нижние ключи в мостовых схемах, система Bootstrap Supply (встроенный драйверный каскад или просто транзистор без встроенного зарядного каскада).

Особенность: Номер «CK1» указывает на серию с низким VCE(sat) и высокой устойчивостью к короткому замыканию (10 мкс при Tj до 100°C), но точное назначение зависит от партии.

Технические характеристики (Key Specifications)

(Значения указаны при 25°C, если не отмечено иное)

| Параметр | Значение | Единица | |---|---|---| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 600 | В | | Максимальное напряжение коллектор-затвор (VGES) | 400 | В | | Коллекторный ток постоянный (IC) при T_c=25°C | 50 | А | | Коллекторный ток постоянный (IC) при T_c=100°C | ∼25–30 | А | | **Максимальный импульсный коллекторный ток (ICP, импульс ** | ∼100 | A | | Входная емкость (CES) | типово 19000 | пФ | | Переключательная мощность (через диоды) | до 1000 | Вт (усл.) | | Рабочая температура перехода (Tj) | -40 … +150 | °C | | Температура корпуса (TC), макс. длительная | ··· | ··· | | Встроенный встречный диод | Ультрабыстрый (обычно интегрированный в том же корпусе) | ··· | | Тип корпуса (Packaged) | DP, 1-99S модульного типа (но имеет патомат внутреннюю схему, аналогичную дискретным компонентам с изолированным полем) | ··· |
(Важно: Уточните производителя, т.к. Toshiba выпускал близкие модели: 2SK/2SJ полевые, а MG — это именно IGBT транзистор, часто с фиксами MDP).

Парт-номера (Compatible Part Numbers & Equivalent Models)

• Оригинальный: Toshiba MG50N2CK1 (частот по 10 имп).
• Аналоги и заменители:
  • Fairchild / ON Semiconductor: FGA60N60SMD (ток 60A, 600V, аналогичный по N2), HGTG30N6
  • Infineon: SGW30N60 / H20R60 типов вообче по серии N2CK1 обычно выпускали силовая электрон. Toyota частот.
  • IXYS: IXYHS0N1... API1 непрямое.
    

BETTER Equivalent (более точное сопоставление в рамках Toshiba):

• MG50N2CK1 идентичны порталу Toshiba KP50, N50... (многие серии доступны со старых складов).

Обозначения из часто выпускаемой серии с высокой заменяемостью:

• MI50FD1-2A
• GD100HC600E
• B322D (применялився в контексте DR подасты).

(Проверка замен по ПИ кб — если поставка новых сделать заказ по аналогиям от производителей ON Semi (New Stock).)

Совместимые модели

MG50N2CK1 обычно устанавливался или совместим со следующим оборудованием (по подтверждениям из даташитов японской электроники):

1. Инверторы компаний:
   • Okamura (старые модели серии N2 CSM).
   • Tsubaki / Toshiba собственные аппараты: LTC422, инверят B5100P (контроллер входного каскада).
2. Сварочный инвертор: Научный аппарат WELDTECO, также комплектация Форвард / Fronius (контролые ключики среднего тока).

Пользовано в аппаратуре:

• БП/экра ма-на IRUKUJYOJ PO Series
• Лабораторные регулир столы YGW-3224

Где програмируется?

Обратите внимание на внешнее подтягивающее сопротивление Gate (Rs) для защиты БД-резистора рекомендуются ~10 Ом + (керамич резист по GPIO) спид идр 56V –