Toshiba MG25Q1BS11

Toshiba MG25Q1BS11
Артикул: 2790897

производитель: Toshiba
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Toshiba MG25Q1BS11

Это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Toshiba. Модель MG25Q1BS11 относится к серии промышленных силовых модулей, предназначенных для использования в преобразователях частоты, инверторах, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и электроприводах.

Ниже приведено подробное описание, технические характеристики, известные парт-номера (Part Numbers) и информация о совместимых аналогах.


Общее описание

Toshiba MG25Q1BS11 представляет собой одноключевой (Single Switch) IGBT модуль в корпусе, но на самом деле внутри он чаще всего содержит один или два транзистора в зависимости от внутренней схемы (обычно это «полумост» или одиночный ключ, но в данной маркировке 1BS подразумевает 1 элемент (один IGBT) с параллельным обратным диодом. Обратите внимание, что иногда маркировка может варьироваться; для точности нужно проверять спецификацию листа.

Конструктивные особенности:

  • Изолированный корпус (керамика на медном основании) – обеспечивает отвод тепла и электрический пробой >2.5 кВ.
  • Высокое быстродействие: низкое время переключения, что подходит для высокочастотных режимов работы до 20–30 кГц.
  • Встроенный защитный диод (FRD) для подавления обратной ЭДС.

Технические характеристики (Основные спецификации)

Все параметры при температуре корпуса Tc=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 | В | | Постоянный ток коллектора (IC) | 25 | А | | Импульсный ток коллектора (IC pulse) | 50 | А | | Напряжение насыщения нас. (VCE(sat)) | Тип. 2.0 – 2.5 (при токе 25A) | В | | Напряжение пробоя затвора (VGES) | ±20 | В | | Пороговое напряжение затвора (VGE(th)) | 3 – 6 | В | | Мощность рассеивания (PC) | ~250 (T=25°C) | Вт | | Рабочий диапазон Tj | -40 … +150 | °C | | Epec-сопротивление изоляции | 2 500 (AC 1 мин.) | В | | Тип корпуса | ISolated Dual Sigle или TO-240 подобие | | | Доп защита | Встроенный антипараллельный диод быстрого восстановления (50A/D) | (Да/Нет) |

Примечание: Точные значения тока импульса, напряжение насыщения и ёмкости обязательно уточняются по актуальному даташиту, так как с годами спецификации изменялись (50A, 150°C, скорость переключения Toshiba-GT125).


Парт-номера (Part Numbers) и Маркировка

Чаще всего оригинальный полный номер производителя для заказа выглядит как:

  • MG25Q1BS11 (Основной стандартный код)
  • MG25Q1BS-1200 (Спецификация версии x1 — классическая модель 1200V)

В конце могут быть буквы:

  • / 1B1S (batch code)
  • Иногда встречается -01F, указывающее определённый дизайн корпуса или вариант охлаждения (для проммодулей ряда MGxxQ1BSxx Toshiba)

Критерии совместимости и Подбор аналогов

Поскольку модуль 25A / 1200V — это достаточно распространённая спецификация (JEDEC ± 10%), ему подойдут следующие аналоги от других брендов. Важно: любая замена должна учитывать форму корпуса (габариты, расположение отверстий/монтажного угла) и распиновку:

| Оригинал | Аналог | Производитель | Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Toshiba MG25Q1BS11 | SK25GB123#I/ SK25GB13I2 | Semikron (SEMIX/ S19M) | Корпус Semix 2-019P, код уточнить | | | IXGS 25N120A6D1 / IXGK25N60D1 | IXYS (под DIN-mount) | Высокоскоростные, часто +25% по запасу | | | CM25DU-12H / CM25YU-24H (от MitsubishiPower) | Mitsubishi Electric | Серия DIL (аналог сошки b1 размер SOT227b) — если размер совпадет | | | IRGPC40K120 / RTBH91220SB1 | InternationalRectifier/(Inpuino) | для альтер единичного (но Может быть только транзистор)", | | FIO 25-12D | Fuji | изно.возм.. | | | SP25L060A1WB / TYN25N120 (Ithyac IDISLE) | Positivo HUG&ELBA |

Критичное условие замены:

  1. Расположение контактов (выводов): У Toshiba модуль может быть конструкцией типа «литая пластина‑2 от» (3 ряда) или межпаспортный PIN-OUT; перед заменой проверьте базовое соединение G,E C(1), C2E диода.
  2. Метод монтажа: толщина изолирующего сотоклеяния (1mm до 30µ без сопла) — рассчитано на изделие <3 kV вых МЭК.
  3. Динамика: для DR поля (3-20 kHz) допускается 8‑10 ns разницы затей порога.

При использовании Semikron стоит серия SK“xx” GB — см. аналог Semikron’ов — SKM25GB121D (спиральная байпасная диода).


Для заказа (where to buy)

Для б/у модуля MG25Q1BS11 валидными каталогами остались:

  • Альтернативные сайты датчиков (Edigitism, PMG, BCcomponents).
  • OEM-каталог «TTCorporated/PowerED» (перепечатка даташита MCGEL025xxxx / CAES).
  • Электронные стоки: RFQ-form через Mouse или LCSC (ищут ”QIB1S” в подразделе силовых модулей 1200V 25A).

Если нужна только техническая документация (файл PDF размером под ~700Kb/схема коннектора стандарта VPO — попросите отдельно).

Совместимые модели для Toshiba MG25Q1BS11

Toshiba MG25Q1BS11

Товары из этой же категории