IGBT 10A-200A

Описание IGBT модулей 10A–200A

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модули — это силовые полупроводниковые приборы, объединяющие преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии). Они применяются в:

• Частотных преобразователях
• Инверторах и источниках питания
• Электроприводах
• Сварочном оборудовании
• Системах управления двигателями

Технические характеристики

| Параметр | Диапазон значений |
|-------------------------|-------------------------------------|
| Ток коллектора (Ic) | 10A – 200A (постоянный / импульсный)|
| Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) | 600V – 1700V |
| Напряжение затвора (Vge) | ±20V (стандартное ±15V) |
| Мощность (Ptot) | 50W – 600W (зависит от модели) |
| Температура эксплуатации | -40°C до +150°C (с теплоотводом) |
| Корпус | TO-247, TO-264, модули (например, SEMiX, EconoPACK) |

Популярные парт-номера и аналоги

10A–50A:

• Infineon: IKW10N60T, IKW40N60T
• Fuji Electric: 2MBI50XB-060 (50A/600V)
• Mitsubishi: CM50DY-12H (50A/600V)
• STMicroelectronics: STGW30H60DF (30A/600V)

75A–200A:

• Infineon: FF75R12RT4 (75A/1200V), FF200R12KT3 (200A/1200V)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4 (75A/1200V), SKM200GB12T4 (200A/1200V)
• Mitsubishi: CM200DY-12NF (200A/600V)

Совместимые модели и аналоги

• IRG4PH40UD (40A/1200V, International Rectifier) → заменяется на IHW40N120R3 (Infineon)
• HGTG20N60A4D (20A/600V, ON Semiconductor) → аналог IKW20N60T (Infineon)
• FGA25N120ANTD (25A/1200V, Fairchild) → совместим с STGP30H120DF (STMicroelectronics)

Примечания

1. Теплоотвод: Для токов >50A обязателен радиатор.
2. Защита: Рекомендуются снабберные цепи и TVS-диоды для защиты от перенапряжений.
3. Драйверы: Оптимальные драйверы — IR2110, 2ED020I12-F (Infineon).

Если нужна детализация по конкретному производителю или применению — уточните!