IGBT 10K60A

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 10K60A
Описание IGBT 10K60A
IGBT 10K60A – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), рассчитанный на напряжение 600 В и ток 10 А. Применяется в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других устройствах, требующих эффективного переключения высоких напряжений и токов.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (VCES) | 600 В | | Максимальный ток коллектора (IC) | 10 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 20 А | | Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1,5–2,2 В (при номинальном токе) | | Мощность рассеивания (Ptot) | ~50–100 Вт (зависит от корпуса) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C | | Тип корпуса | TO-220, TO-247 или аналогичный | | Время включения/выключения (ton/toff) | десятки–сотни наносекунд |
Парт-номера и совместимые модели
Точный парт-номер зависит от производителя, но аналогами и близкими по параметрам IGBT могут быть:
- IRG4PC50U (International Rectifier, 600 В, 14 А)
- FGA15N60 (Fairchild/ON Semi, 600 В, 15 А)
- STGW10NC60KD (STMicroelectronics, 600 В, 10 А)
- HGTG10N60A4D (Infineon, 600 В, 10 А)
Для точного аналога рекомендуется проверять даташиты по параметрам:
- VCES = 600 В
- IC ≥ 10 А
- Корпус TO-220/TO-247
Примечание
Если вам нужен точный datasheet, уточните производителя (например, Infineon, STM, Toshiba). Некоторые IGBT могут иметь дополнительные встроенные диоды (антипараллельные) для защиты.
Нужна дополнительная информация? Уточните детали!