IGBT 11N120

Описание IGBT 11N120

IGBT 11N120 — это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные сферы использования:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Этот IGBT обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 22 A | | Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 11 A | | Максимальная импульсная мощность (P_max) | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.5 В | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~400 нс | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | ~0.7 °C/Вт | | Корпус | TO-247, TO-3P или аналогичный | | Температура хранения | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели от других производителей:

• Infineon: IKW30N120T2
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• Mitsubishi: CM300DY-24A
• ON Semiconductor: NGTB40N120FL3WG

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• HGTG20N120BND (Fairchild/ON Semi)

Заключение

IGBT 11N120 подходит для замены в большинстве схем, где требуется напряжение 1200 В и ток до 22 А. Для выбора аналога важно учитывать корпус, характеристики переключения и тепловые параметры.

Если нужны дополнительные варианты замены, уточните производителя и условия эксплуатации.