IGBT 12NAB12V1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 12NAB12V1
Описание IGBT 12NAB12V1
IGBT 12NAB12V1 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и приводов электродвигателей. Обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Коллектор-эмиттер напряжение (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 12 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 24 А | | Рассеиваемая мощность (PD) | 75 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,8 В (при IC = 12 А) | | Время включения (ton) | 35 нс | | Время выключения (toff) | 120 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-263 (D2PAK) |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные парт-номера:
- 12NAB12V1 (оригинальное обозначение)
- IXGH12N120B (аналог от IXYS)
- IRG4BC12U (аналог от International Rectifier)
- FGA12N120ANTD (аналог от Fairchild/ON Semiconductor)
Совместимые модели:
- 12NAB12V1 можно заменить на:
- 12NAB12V2 (более новый вариант)
- IRG4BC12UD (с быстрым диодом)
- HGTG12N120BND (от Renesas)
- STGW12NC120 (от STMicroelectronics)
Применение
- Преобразователи частоты
- Инверторы для солнечных электростанций
- Сварочные аппараты
- Управление электродвигателями
- Импульсные блоки питания
Если вам нужен точный аналог, уточните параметры схемы (например, рабочие токи, частоту переключений). Некоторые аналоги могут иметь небольшие отличия в характеристиках.