IGBT 131/08D

Описание IGBT-модуля 131/08D

IGBT 131/08D — это силовой модуль на основе биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.

Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери и надежную конструкцию с изолированной базой для удобного монтажа на радиатор.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В или 1200 В (уточняется по спецификации)
• Ток коллектора (IC) при 25°C: 75–150 А (зависит от версии)
• Ток коллектора (IC) при 80°C: 50–100 А
• Максимальный импульсный ток (ICM): до 300 А
• Рассеиваемая мощность (Ptot): 200–400 Вт
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): ~0.15–0.25 °C/Вт

Параметры переключения:

• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1.8–2.5 В
• Время включения (ton): 50–100 нс
• Время выключения (toff): 100–200 нс
• Рабочая частота: до 20 кГц

Температурный режим:

• Рабочая температура (Tj): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Конструкция:

• Корпус: модуль с изолированным основанием (например, SEMiX, EconoPACK)
• Клеммы: винтовые или пружинные контакты
• Изоляция: до 2500 В (между базой и элементами)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• Infineon: 131/08D (возможен вариант IKW75N60T, IKW40N60T в зависимости от модификации)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4, SKM100GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-060

Совместимые модели:

• IR (Infineon): IRG4PH50UD, IRG4PC50UD
• Mitsubishi: CM75DY-12H, CM100DY-12H
• ON Semiconductor: NGTB75N60FL2WG

Примечания

1. Точные параметры зависят от производителя и серии.
2. Для замены необходимо сверять распиновку и характеристики (особенно VCE и IC).
3. Рекомендуется использовать оригинальные или сертифицированные аналоги для критичных применений.

Если у вас есть дополнительная информация (фото, маркировка), уточним детали!