IGBT 150VEA120-50

Описание IGBT модуля 150VEA120-50

150VEA120-50 – это IGBT-модуль, предназначенный для управления высокими токами в силовой электронике. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других промышленных системах. Модуль сочетает высокую эффективность, надежность и тепловую стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 150 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | Стандартный изолированный (например, SEMiX или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM150DY-24S
• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI150U2B-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Совместимые модели в других линейках:

• IXYS: IXGH150N120B3
• Toshiba: MG150Q1US41

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнить распиновку и параметры управления (напряжение затвора, схему драйвера), так как они могут отличаться у разных производителей.

Если вам нужна точная информация по конкретному аналогу, укажите производителя или область применения – помогу подобрать оптимальный вариант!