IGBT 1DI75H-120

Описание и технические характеристики IGBT модуля 1DI75H-120

Описание:
1DI75H-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений, таких как промышленные приводы, источники питания, инверторы и системы управления электродвигателями. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, а также высокую надежность благодаря современной силовой полупроводниковой технологии.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Энергия включения (E_on) | 3,5 мДж (тип.) | | Энергия выключения (E_off) | 2,2 мДж (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Максимальная рабочая температура | 150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт | | Корпус | модуль с изолированным основанием | | Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: 1DI75H-120 (оригинал)
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75N-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IXYS: MII75-12A3

Совместимые модели (по характеристикам):

• IR (Infineon): IRG7PH42UD
• Toshiba: MG75Q1US41
• STMicroelectronics: STGW75H120DF2

Данный модуль может быть заменен на аналоги с близкими параметрами по напряжению (1200 В) и току (75 А), но перед заменой необходимо проверить соответствие характеристик по переключению и тепловым режимам.

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверяться с даташитами производителей или консультироваться с поставщиками.