IGBT 1MB1300N-120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 1MB1300N-120
Описание IGBT 1MB1300N-120
1MB1300N-120 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах, системах управления электродвигателями и сварочном оборудовании.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 13 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 8 А | | Импульсный ток (ICM) | 26 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,5 В (при IC = 13 А) | | Мощность рассеяния (PD) | 200 Вт | | Температура перехода (Tj) | -55°C ~ +150°C | | Тип корпуса | TO-247 | | Встроенный диод | Нет |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от других производителей:
- Infineon: IKW15N120T (1200 В, 15 А)
- Fuji Electric: 1MB1300N-120 (аналог)
- Mitsubishi: CM100DY-24H (1200 В, 100 А, модуль)
- STMicroelectronics: STGW30NC120HD (1200 В, 30 А)
Похожие модели в линейке Mitsubishi:
- 1MB1300N-060 (600 В, 13 А)
- 1MB1300N-170 (1700 В, 13 А)
Применение
- Преобразователи частоты
- Индукционные нагреватели
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Если требуется модульная версия (например, для силовых сборок), можно рассмотреть Mitsubishi CM300DY-24H (300 А, 1200 В).
Для замены важно учитывать: напряжение, ток, наличие/отсутствие встроенного диода и тепловые характеристики.