IGBT 1MBI50U4F-120L-50

Описание IGBT модуля 1MBI50U4F-120L-50

Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (NPT-IGBT)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, источники питания, промышленные приводы.
Особенности:

• Высокая эффективность и надежность.
• Низкие потери при переключении.
• Встроенный температурный датчик (NTC термистор).
• Изоляция основания (керамическая подложка).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC @ 25°C) | 50 А | | Импульсный ток (ICM) | 100 А | | Мощность рассеивания (PC) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (ton) | 0.3 мкс (тип.) | | Время выключения (toff) | 1.2 мкс (тип.) | | Температура эксплуатации | -40°C … +125°C | | Корпус | 2 в 1 (один IGBT + антипараллельный диод) | | Термистор (NTC) | Встроен (для защиты от перегрева) |

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги от Fuji Electric / Mitsubishi:

• 1MBI50U4F-120L (базовая версия без NTC)
• 1MBI50U4F-120 (аналог без термодатчика)
• 1MBI50U4-120 (устаревшая версия)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Semikron: SKM50GB12T4
• ON Semiconductor: FGA50N65SMD

Совместимые модули с близкими параметрами:

• 1MBI75U4F-120L-50 (75 А, 1200 В)
• 1MBI30U4F-120L-50 (30 А, 1200 В)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и конструктив корпуса.
• Для корректной работы рекомендуется использовать оригинальные или сертифицированные аналоги.
• Уточняйте datasheet для конкретной версии модуля (возможны незначительные отличия в характеристиках).

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните запрос!