IGBT 200gb126d

IGBT 200GB126D: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT-модуль 200GB126D – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для мощных инверторов, преобразователей частоты, систем управления электродвигателями и промышленных источников питания. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и устойчивость к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 140 А | | Импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,7 В (при I_C = 200 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Корпус | модуль (изолированный) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• 200GB120D (1200 В, 200 А)
• 200GB150D (1500 В, 200 А)
• CM200DY-12NF (1200 В, 200 А, Mitsubishi)
• FF200R12KE3 (1200 В, 200 А, Infineon)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• 100GB126D (1200 В, 100 А)
• 300GB126D (1200 В, 300 А)
• 200GB60D (600 В, 200 А)

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для электромобилей
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны дополнительные данные (например, схема подключения или datasheet), уточните запрос.