IGBT 202GB128DS

Описание IGBT-модуля 202GB128DS

IGBT 202GB128DS – это двухканальный (dual) IGBT-модуль с диодом обратного хода (антипараллельным диодом), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и двигательных приводов. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводах и системах управления двигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (Dual) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Номинальный ток (IC @ 25°C) | 200 А (зависит от условий охлаждения) | | Ток коллектора (IC @ 100°C) | ~120 А | | Макс. импульсный ток (ICM) | 400 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~600 Вт (с теплоотводом) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff) | ~300 нс | | Диод обратного хода | Встроенный (FRD) | | Корпус | Стандартный модульный (например, 62 мм) | | Темп. хранения/работы | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и взаимозаменяемые модули:

• Infineon: FF200R12KT4, FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24A, CM200DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• SEMIKRON: SKM200GB128D

При замене необходимо учитывать:

• Напряжение (1200 В)
• Ток (200 А)
• Размеры и расположение выводов
• Тип охлаждения (модули могут быть с изолированной или неизолированной базой)

Примечание

Перед установкой рекомендуется проверять datasheet производителя, поскольку параметры могут незначительно отличаться в зависимости от партии и бренда. Для точного подбора аналога лучше использовать кросс-референсные таблицы (например, от IHS Markit или Octopart).

Если вам нужна дополнительная информация по подключению или аналогам – уточните детали!