IGBT 20-FGH30S130P

Описание IGBT 20-FGH30S130P

IGBT 20-FGH30S130P – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1300 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 20 А |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 60 А (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип. при I_C = 30 А) |
| Время включения (t_on) | 65 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,45 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

• Infineon: IKW30N65H5, IKW40N60T
• Fuji Electric: 2MBI30S-130
• Mitsubishi: CM30DY-24H
• STMicroelectronics: STGW30H130D
• IXYS: IXGH30N130

Совместимые модули (схожие параметры):

• 20-FGH40S130P (40 А, 1300 В)
• 20-FGH30S120P (30 А, 1200 В)
• 20-FGH20S130P (20 А, 1300 В)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и параметры конкретной схемы.

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!