IGBT 20NAB121T45

Описание IGBT модуля 20NAB121T45

20NAB121T45 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от ведущего производителя, предназначенный для мощных преобразовательных и инверторных систем. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с антипараллельным диодом | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Номинальный ток IC @ 25°C | 20 А | | Макс. импульсный ток ICM | 40 А | | Рассеиваемая мощность (Pd) | до 150 Вт (зависит от охлаждения)| | Напряжение насыщения VCE(sat) | ~1.8 В (типовое) | | Время включения/выключения (ton/toff) | нс/нс (уточнить в даташите) | | Корпус | Стандартный модульный (например, NAB) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C | | Изоляция корпуса | Да (до ~2500 В) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут варьироваться в зависимости от производителя и схемотехники.

Прямые аналоги (альтернативы):

• Infineon: FF20R12YT3, FF20R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI20U2H-120
• Mitsubishi: CM20DY-12H
• SEMIKRON: SKM20GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• 20NAB120T45 (аналогичный, но с другим током/напряжением)
• 25NAB121T45 (с повышенным током)
• 15NAB121T45 (с пониженным током)

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для электроприводов
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташит, особенно параметры VCE(sat), Qg и тепловые характеристики.

Если нужен более точный подбор под конкретную схему, уточните условия работы (частота, охлаждение, нагрузка).