IGBT 20NAB12IT12

Описание IGBT 20NAB12IT12

IGBT 20NAB12IT12 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при коммутации и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 20 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 10 А | | Пиковый ток (I_CM) | 40 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Встроенный обратный диод | Да (FRD) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 или аналогичный | | Тип монтажа | Изолированный / неизолированный (в зависимости от версии) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и эквивалентные модели:

• Infineon: IKW20N120T2
• Fuji Electric: 2MBI200U4B-120
• Mitsubishi: CM200DY-12S (двойной модуль, но схожие параметры)
• STMicroelectronics: STGW20NC120HD

Совместимые модели (по напряжению и току):

• IXYS: IXGH20N120B3
• Toshiba: GT20Q121

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных батарей
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями (промышленные приводы)

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики характеристик или уточнение корпуса), уточните производителя модуля (возможно, это SEMIKRON, Infineon или другой бренд).