IGBT 20R1203

Описание IGBT 20R1203

IGBT 20R1203 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах. Обладает высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 20 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 12 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 40 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,2 В (при I_C = 20 А) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 160 Вт | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Корпус | TO-247 (3 контакта) | | Тип затвора | N-канальный | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW20N120T2 (20А, 1200В)
• Fairchild (ON Semiconductor): HGTG20N120B3D
• STMicroelectronics: STGW20NC120HD
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 20A, 1200V)
• IXGH20N120B3 (IXYS, 20A, 1200V)

Применение

• Инверторы для электродвигателей
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление мощными нагрузками

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.