IGBT 2-APT200GN60J

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2-APT200GN60J
Описание IGBT модуля 2-APT200GN60J
2-APT200GN60J – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от производителя APT (Advanced Power Technology). Модуль предназначен для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.
Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации (Half-Bridge).
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------------|
| Производитель | APT (Microsemi) |
| Тип модуля | IGBT полумостовой (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток (IC) | 200 А (при Tc=25°C) |
| Импульсный ток (ICM) | 400 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1,8 В (при 200 А) |
| Время включения (ton) | ~50 нс |
| Время выключения (toff) | ~200 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,09 °C/Вт |
| Корпус | Isolated (с изолированным основанием) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от APT / Microsemi:
- APT200GN60J (аналогичный, но без префикса "2-")
- APT200GN60JDQ2 (улучшенная версия)
Совместимые аналоги от других производителей:
- Infineon: FF200R06KE3, FF200R12KE3 (требуется проверка распиновки)
- Mitsubishi: CM200DY-24A (600V, 200A, но в другом корпусе)
- Fuji Electric: 2MBI200U2A-060 (аналогичные параметры)
Применение
- Инверторы и преобразователи частоты
- Сварочные аппараты
- Управление электродвигателями
- Импульсные источники питания
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусах и параметрах.