IGBT 2-APT50GF60JU2

Описание и технические характеристики IGBT 2-APT50GF60JU2

Общее описание:

IGBT 2-APT50GF60JU2 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-247, разработанный компанией Microsemi (Microchip Technology). Он предназначен для высокоэффективных силовых преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (600 В)
• Ток коллектора (50 А) при 25°C
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat) ≤ 2.3 В при 50 А)
• Быстрое переключение и низкие потери
• Встроенный свободно-колеблющий диод (FRD)
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | ≤ 2.3 В (при 50 А) | | Время включения (t_on) | 44 нс | | Время выключения (t_off) | 340 нс | | Встроенный диод (FRD) | Да | | Макс. рабочая температура | 150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Оригинальные парт-номера:

• APT50GF60JU2 (Microsemi)
• 2-APT50GF60JU2

Совместимые аналоги (замена возможна после проверки параметров):

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60A4D (STMicroelectronics)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Аналоги с близкими характеристиками:

• IRG4PC50U (600 В, 55 А)
• FGH50N60SFD (600 В, 50 А)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Импульсные источники питания
• Электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять характеристики и конфигурацию выводов.