IGBT 2di100z-120

IGBT 2DI100Z-120: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT 2DI100Z-120 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT, Non-Punch Through) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 100 А | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 100 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 или аналогичный (зависит от производителя) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены могут отличаться в зависимости от производителя, но возможные совместимые модели:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW100N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100N-120, 2MBI100VC-120
• Mitsubishi: CM100DY-24H, CM100DY-24S
• Semikron: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGH100N120B3

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Примечание: Перед заменой рекомендуется уточнить datasheet производителя, так как характеристики могут незначительно отличаться.