IGBT 2DI150A-1K

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2DI150A-1K

2DI150A-1K – это двухимпульсный IGBT-модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в преобразовательной технике, системах управления электродвигателями, инверторах и источниках питания.

Основные характеристики:

• Тип: Двухимпульсный IGBT-модуль (Dual)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 400 Вт (при T_c = 25°C)
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 K/Вт
• Класс изоляции: 2500 В (UL-сертификация)
• Диапазон рабочих температур: -40°C … +150°C
• Корпус: Стандартный модульный (изолированный основание)

Встроенные компоненты:

• Два IGBT с обратными диодами (FWD)
• Быстродействующие диоды для снижения потерь при коммутации

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: FF150R12KT4
  • Mitsubishi: CM150DY-12S
  • SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Прямые замены:
  • 2DI150A-1200 (аналог с аналогичными параметрами)
  • 2DI150A-1KA (модернизированная версия)

Типовые применения:

• Промышленные приводы
• Инверторы и частотные преобразователи
• Установки возобновляемой энергетики (солнечные инверторы)
• Сварочное оборудование

Модуль 2DI150A-1K обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых электронных системах, а его совместимость с аналогами от ведущих производителей упрощает замену в ремонтных целях.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!