IGBT 2DI150D050C

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2DI150D050C
Описание IGBT модуля 2DI150D050C
2DI150D050C – это двухканальный IGBT-модуль (Half-Bridge) с диодом обратного хода (антипараллельный диод), разработанный для высокоэффективных преобразователей энергии в промышленных и силовых электронных системах. Модуль предназначен для управления высокими токами и напряжениями в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых приложениях.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2x IGBT + диоды) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 500 В |
| Номинальный ток (IC) | 150 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | до 600 Вт (с радиатором) |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | ~50 нс / 150 нс |
| Температурный диапазон | -40°C … +150°C (корпус) |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | 34 мм (плоский, с изолированной подложкой) |
Дополнительные особенности
- Интегрированные температурные датчики (NTC) для защиты от перегрева.
- Низкие потери на переключение благодаря технологии TrenchGate.
- Изолированная медная основа для улучшенного теплоотвода.
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от других производителей
- Infineon: FF150R05KT3
- Mitsubishi: CM150DY-12NFH
- Fuji Electric: 2MBI150N-050
Прямые аналоги (по характеристикам)
- IXYS: IXGH150N50C3
- Semikron: SKM150GB063D
- STMicroelectronics: STGW40H65DFB
Совместимые модули в других корпусах
- 2DI150D050R (альтернативная версия с другими выводами)
- 2DI200D050C (аналог с увеличенным током до 200 А)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи.
- Системы управления электродвигателями.
- Источники бесперебойного питания (ИБП).
- Сварочные инверторы.
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять распиновку и параметры управления (напряжение затвора, токи переключения). Для высоконагруженных систем рекомендуется активное охлаждение.