IGBT 2DI150M120

Описание IGBT-модуля 2DI150M120

2DI150M120 – это двухканальный IGBT-модуль с диодом обратного хода (FRD), предназначенный для применения в мощных инверторах, преобразователях частоты и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: Двухканальный IGBT + FRD (диод обратного хода)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 150 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 300 А
• Мощность рассеивания (P_tot): До 600 Вт (зависит от охлаждения)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C

Диодные характеристики:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 А
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт
• Корпус: Инсулированный (с изолированной подложкой)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF150R12RT4, FZ150R12KE3
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Semikron: SKM150GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI150L-120

Совместимые модели в других сериях:

• 2DI75M120 (75 А, 1200 В)
• 2DI200M120 (200 А, 1200 В)
• 2DI150M170 (150 А, 1700 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Тяговые системы (электромобили, железнодорожная техника)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль подходит для замены в ремонте или модернизации оборудования, но перед установкой рекомендуется проверять распиновку и характеристики схемы управления.

Если нужна дополнительная информация (например, схемы включения), уточните запрос!