IGBT 2FI50G100D

IGBT 2FI50G100D – Описание, технические характеристики и совместимые модели

Описание

IGBT 2FI50G100D – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой устойчивостью к перегрузкам.

Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем хороший теплоотвод и электрическую изоляцию. Подходит для использования в:

• Преобразователях частоты
• Инверторах
• Системах управления двигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных и тяговых приводах

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT модуль (NPT технология) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 25 А, 25°C) |
| Время включения (t_on) | 100 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,4 °C/Вт |
| Корпус | Изолированный (например, TO-247) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• 2FI50G100D (оригинальный номер)
• FGA50N100 (Fairchild / ON Semiconductor)
• IXGH50N100 (IXYS)
• IRG4PC50UD (Infineon)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• HGTG50N100 (Microsemi)
• STGW50NC100WD (STMicroelectronics)
• APT50GR100J (Microchip)

Примечания

• Перед заменой убедитесь в совместимости по электрическим параметрам и корпусу.
• Рекомендуется проверять datasheet на конкретный аналог.
• Для высоконагруженных систем лучше использовать оригинальный модуль.

Если вам нужны дополнительные данные или схемы подключения, уточните – помогу найти!