IGBT 2-FMG2G75US60

Описание IGBT 2-FMG2G75US60

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 2-FMG2G75US60 — это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для использования в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери на переключение и надежную конструкцию, что делает его подходящим для промышленного и коммерческого применения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + Диод (двухканальный) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 250 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.7 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 180 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Температура хранения | -55°C до +150°C |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW75HF60W (STMicroelectronics)
• IXGH75N60B3 (Littelfuse/IXYS)

Совместимые модули в схемах:

• 2MBI75U4H-060 (Fuji Electric)
• MG75Q6ES40 (Toshiba)
• BSM75GB120DN2 (Infineon)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если вам нужно уточнить параметры для конкретной схемы, укажите область применения — помогу подобрать оптимальный аналог!