IGBT 2-FP7G75US60

Описание IGBT модуля 2-FP7G75US60

2-FP7G75US60 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с высоким напряжением и током, предназначенный для мощных силовых преобразователей, инверторов, частотных приводов и промышленных систем управления.

Модуль имеет компактную конструкцию с низкими тепловыми потерями и высоким КПД, что делает его подходящим для применения в:

• Промышленных приводах
• Сварочном оборудовании
• ИБП (источниках бесперебойного питания)
• Солнечных инверторах
• Электромобилях и зарядных станциях

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | до 150 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,25 °C/Вт | | Корпус | Под винтовое крепление (SEMITOP) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: FF75R06KE3
• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75U6A-060

Совместимые модели (по характеристикам):

• STMicroelectronics: STGW75HF60WD
• ON Semiconductor: NGGB75H60NL1
• Toshiba: MG75Q6ES40

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики управления затвором.
• Рекомендуется использовать оригинальные или проверенные аналоги для надежной работы.

Если нужны дополнительные параметры (графики вольт-амперных характеристик, схема включения), уточните запрос!