IGBT 2-FS15R12VT3

Описание IGBT модуля 2-FS15R12VT3

2-FS15R12VT3 – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и моторных приводов. Модуль выполнен в корпусе EasyPACK 2B и содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации.

Основные технические характеристики

Электрические параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 15 А (макс. 30 А импульсный)
• Ток короткого замыкания (I_SC): 60 А
• Падение напряжения (V_CE(sat)): 1,85 В (при I_C = 15 А)
• Мощность рассеивания (P_tot): 150 Вт
• Встроенные диоды (FRD):
  • Прямое напряжение (V_F): 1,7 В (при I_F = 15 А)
  • Время обратного восстановления (t_rr): 100 нс

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,75 К/Вт
• Корпус: EasyPACK 2B (изолированный)

Управление:

• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5,5 В
• Рекомендуемое напряжение затвора (V_GE): ±20 В
• Заряд затвора (Q_g): 100 нКл

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены:

• Infineon: FS15R12VT3 (одиночный модуль, аналогичный по параметрам)
• Infineon: 2-FS15R12VE3 (версия с улучшенными характеристиками)
• Mitsubishi: CM15DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI15S-120

Cross-reference:

• SEMIKRON: SKM15GB12T4
• IXYS: MIXA15W1200TED

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Управление электродвигателями

Примечание

При замене модуля рекомендуется проверять распиновку и характеристики управления затвором, так как у разных производителей могут быть отличия.

Если нужны дополнительные аналоги или параметры – уточните!