IGBT 2MBI100N120-02

Описание IGBT модуля 2MBI100N120-02

2MBI100N120-02 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Fuji Electric, предназначенный для мощных силовых преобразований. Модуль выполнен в стандартном корпусе 2-in-1 (два IGBT с общим эмиттером и антипараллельными диодами).

Основные области применения:

• Преобразователи частоты (инверторы)
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_d) | 330 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 100 А) |
| Время включения (t_on) | 110 нс |
| Время выключения (t_off) | 420 нс |
| Температура кристалла (T_j) | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | 2MBI (изолированный) |
| Встроенные диоды | Да (антипараллельные FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 2MBI100N120-02-50 (версия с улучшенными характеристиками)
• 2MBI100N120-02-51 (аналог с другим исполнением клемм)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF100R12YT3
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Semikron: SKM100GB12T4
• IXYS (Littelfuse): MIXA100PF1200T

Альтернативы с похожими параметрами:

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG100Q2YS40

Примечания:

• Перед заменой модуля проверьте распиновку и характеристики встроенных диодов.
• Для надежной работы требуется эффективное охлаждение (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется использовать драйверы с током затвора ≥ 2 А.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики V_CE или схемы подключения), уточните запрос.