IGBT 2MBI150J-120

Описание модуля IGBT 2MBI150J-120

2MBI150J-120 – это IGBT-модуль компании Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений в силовой электронике. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, собранные в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты (инверторы)
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные источники питания
• Устройства плавного пуска

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А | | Ток в импульсном режиме (I_CP) | 300 А | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.0 В | | Время включения (t_on) | ~40 нс | | Время выключения (t_off) | ~220 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.15 °C/Вт | | Корпус | 2MBI (изолированный, с клеммными соединениями) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

1. Mitsubishi Electric:

   • 2MBI150N-120 (с улучшенными динамическими характеристиками)
   • 2MBI150U2B-120 (аналог с другим корпусом)

2. Infineon:

   • FF150R12RT4 (аналог с похожими характеристиками)

3. Fuji Electric:

   • 2MBI150VA-120

4. SEMIKRON:

   • SKM150GB12T4

Совместимые модули в других корпусах:

• Mitsubishi CM150DY-12H (аналог в корпусе CM)
• Mitsubishi 6MBP150RA120 (для трёхфазных инверторов)

Заключение

Модуль 2MBI150J-120 подходит для замены в ремонте или проектировании мощных преобразователей. При выборе аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также конструктивное исполнение.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните – предоставлю подробные данные.