IGBT 2MBI150L-120

Описание IGBT-модуля 2MBI150L-120

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой бренд, если уточнить)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (Dual IGBT + Diode)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 150 А |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 300 А (тип.) |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 150 А) |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.15 °C/Вт |
| Корпус | модуль с изолированным основанием (обычно SEMiX или аналоги) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены:

• 2MBI150N-120 (аналог с улучшенными параметрами)
• 2MBI150U4H-120 (версия с другим корпусом)

Совместимые модели других брендов:

• Infineon: FF150R12RT4
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI150L-120 (аналогичная серия)

Примечания

1. Проверка распиновки: Перед заменой убедитесь в идентичности цоколевки и характеристик.
2. Охлаждение: Рекомендуется использование термопасты и радиатора с низким R_th.
3. Драйверы: Для управления подходят стандартные драйверы IGBT (например, M57962L).

Если у вас есть дополнительная информация о производителе или сфере применения, можно уточнить параметры!