IGBT 2MBI200N120

Описание IGBT-модуля 2MBI200N120

2MBI200N120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Fuji Electric, предназначенный для мощных преобразователей энергии в промышленных и силовых электронных системах. Модуль имеет встроенный диод (FRD) и рассчитан на высокие токи и напряжения, что делает его подходящим для:

• Частотных преобразователей
• Сварки
• Управления электродвигателями
• Импульсных источников питания

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Макс. ток (I_CM) | 400 А (импульсный) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 750 Вт (с радиатором) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время переключения (t_on/t_off) | 0.3 µs / 1.2 µs | | Температура хранения/работы | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (MLB) | | Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 2MBI200U4H-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI200VA-120
• 2MBI200N-120 (устаревшая версия)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NFH
• Semikron: SKM200GB12T4

Парт-номера для заказа:

• Оригинальный код: 2MBI200N120-50 (может включать суффиксы в зависимости от поставщика)
• Альтернативные коды у дистрибьюторов: MB1200N200, FJI-2MBI200N120

Примечания

1. Охлаждение: Для работы на полной мощности требуется радиатор или активное охлаждение.
2. Замена аналогами: Проверять распиновку и параметры (особенно V_CE и I_C).
3. Документация: Рекомендуется свериться с даташитом (Fuji Electric Datasheet) для точных электрических характеристик.

Если нужны дополнительные данные (например, схема подключения), уточните запрос!