IGBT 2MBI200NE120

Описание IGBT модуля 2MBI200NE120

2MBI200NE120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в стандартном корпусе и содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его подходящим для инверторов, преобразователей частоты (ЧРП), сварочного оборудования и промышленных систем управления электроприводами.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | 2-канальный (два IGBT + два диода) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Ток импульсного режима (I_CM) | 400 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 1000 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) |
| Падение напряжения на диоде (V_F) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |
| Корпус | Модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера Fuji Electric:

• 2MBI200U2H-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI200U4H-120 (версия с повышенной нагрузочной способностью)
• 2MBI200UC-120 (альтернативный вариант)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Semikron: SKM200GB12T4
• IXYS (Littelfuse): MIXA200PE1200

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Промышленные инверторы

Модуль 2MBI200NE120 отличается высокой надежностью и эффективностью в высоковольтных системах, а его аналоги могут быть использованы в случае необходимости замены или модернизации оборудования.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!