IGBT 2MBI200U4-120

Описание IGBT модуля 2MBI200U4-120

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип: IGBT-модуль (двухключевой, NPT-IGBT + диод)
Назначение: Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CP): 400 А
• Мощность рассеивания (P_D): 750 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2.1 В (при I_C = 200 А)
• Время включения (t_on): 0.4 мкс
• Время выключения (t_off): 1.2 мкс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Параметры встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А
• Падение напряжения (V_F): 2.0 В

Тип корпуса:

• Модуль в корпусе 2-in-1 (два IGBT + два диода)
• Монтаж: винтовой (для силовых и управляющих контактов)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi:

• 2MBI200U4-120-50 (версия с улучшенными характеристиками)
• 2MBI200U4H-120 (альтернативная модель с другим корпусом)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3 (200A, 1200V)
• SEMIKRON: SKM200GB12T4 (200A, 1200V)
• Fuji Electric: 2MBI200U4-120 (полный аналог)
• ON Semiconductor: NGTB200N120IHR (200A, 1200V)

Рекомендуемые замены:

• Если требуется повышенная надежность: 2MBI200U4-120-50
• Если нужен аналог с улучшенным охлаждением: FF200R12KT3 (Infineon)

Применение и особенности

• Подходит для частотных преобразователей и инверторов средней мощности.
• Имеет низкие динамические потери благодаря технологии NPT-IGBT.
• Требует дополнительного теплоотвода (радиатора) при работе на высоких токах.

Если требуется уточнение по замене или совместимости, укажите конкретное применение.