IGBT 2MBI200U4D-120

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI200U4D-120

Производитель: Fuji Electric (или другой бренд, в зависимости от спецификации)
Тип модуля: IGBT-модуль (двухключевой, Half-Bridge)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А | | Пиковый ток (I_CP) | 400 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Макс. температура перехода (T_j) | 150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.12 °C/W | | Тип корпуса | Стандартный модуль (изолированный) | | Вес | ~200 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Fuji Electric (если применимо):

• 2MBI200U4D-120 (базовая модель)
• 2MBI200U4D-120-50 (версия с дополнительными опциями)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• SEMIKRON: SKM200GB128D
• ON Semiconductor: NXH200B120H3Q1

(Перед заменой всегда проверяйте распиновку и характеристики!)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Тяговые преобразователи
• Управление электродвигателями

Если нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните!