IGBT 2MBI25F-120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI25F-120
Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI25F-120
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой бренд, если уточнено)
Тип: Двухканальный IGBT-модуль с диодом обратного хода (Dual IGBT + Diode)
Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
Ток коллектора (IC): 25 А (при 25°C)
Ток импульсный (ICP): 50 А
Мощность рассеивания (Ptot): В зависимости от условий охлаждения
Сопротивление в открытом состоянии (VCE(sat)): ~1,8 В (типовое при номинальном токе)
Время включения/выключения (ton/toff): Наносекундный диапазон (точное значение зависит от условий работы)
Температурный диапазон: -40°C до +150°C (корпус)
Корпус: Стандартный модульный (например, 2 in 1)
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Mitsubishi Electric:
- 2MBI25N-120
- CM25DY-12H
- Infineon:
- FF25R12YT3
- FF25R12KE3
- Fuji Electric:
- 2MBI25F-120 (аналогичный код)
- SEMIKRON:
- SKM25GB12T4
Совместимые модели (по характеристикам):
- Любые IGBT модули с VCES 1200 В и током 25–30 А в аналогичном корпусе.
Применение:
- Преобразователи частоты
- Инверторы
- Управление двигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные системы управления
Если требуется уточнение по конкретному производителю или дополнительным параметрам, укажите – помогу найти точные данные!