IGBT 2-MG100H2DL1

Описание IGBT-модуля 2-MG100H2DL1

2-MG100H2DL1 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в мощных инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании и других силовых электронных системах. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы и диоды, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 100°C)
• Максимальный импульсный ток (I_CP): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/W
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (при I_C = 100 А)
• Время включения (t_on): 0,25 мкс
• Время выключения (t_off): 0,9 мкс
• Температура эксплуатации: от -40°C до +150°C
• Тип корпуса: модуль с изолированным основанием

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI100N-120 (аналог с аналогичными параметрами)
• CM100DY-24H (близкий по характеристикам, но другой корпус)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• SEMIKRON: SKM100GB128D

Совместимые модели в схемах замены:

• 2-MG100H2DL2 (более новая версия)
• 2-MG75H2DL1 (75 А, но может подходить при пониженной нагрузке)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные силовые инверторы

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам подключения, уточните детали.