IGBT 2-MG150J2YS50

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2-MG150J2YS50

Описание:
Модуль 2-MG150J2YS50 – это IGBT-транзистор с диодом обратного восстановления (FRD), предназначенный для мощных преобразователей энергии, инверторов, промышленных приводов и других высоковольтных приложений. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и устойчивость к перегрузкам.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 150 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 75 А | | Импульсный ток (I_CP) | 300 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 200 нс (тип.) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C | | Корпус | 2-выводной (Half-bridge) | | Производитель | Mitsubishi Electric (возможны аналоги других брендов) |

Парт-номера и совместимые модели:

Оригинальные аналоги:

• 2MBI150N-120 (Fuji Electric)
• CM150DY-24H (Powerex)
• FF150R12KE3 (Infineon)
• SKM150GB12T4 (Semikron)

Совместимые модели (схожие параметры):

• MG150J2YS50 (аналог в другом корпусе)
• 2MBI150U4B-120 (Fuji Electric, обновленная версия)
• BSM150GB120DLC (ABB)

Применение:

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Тяговые преобразователи
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и конфигурацию выводов, так как у разных производителей могут быть отличия в распиновке.